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科研机构
上海微系统与信息技... [11]
内容类型
期刊论文 [11]
发表日期
2009 [2]
2007 [1]
2005 [1]
2004 [1]
2003 [2]
1999 [2]
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专题:上海微系统与信息技术研究所
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40
45
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75
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85
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95
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The properties of high-k gate dielectric films deposited on HRSOI
期刊论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2009, 卷号: 86, 期号: 12, 页码: 2404-2407
Cheng, XH
;
Xu, DP
;
Song, ZR
;
He, DW
;
Yu, YH
;
Zhao, QT
;
Shen, DS
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/03/24
SOI
CAPACITORS
Temperature- and field-dependent leakage current of epitaxial YMnO3/GaN heterostructure
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 12, 页码: 122904-122904
Wu, H
;
Yuan, J
;
Peng, T
;
Pan, Y
;
Han, T
;
Liu, C
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/03/24
THIN-FILMS
ELECTRICAL-PROPERTIES
GROWTH
ELECTRODES
CAPACITORS
SCHOTTKY
SOLIDS
Processing and properties of Yb-doped BiFeO3 ceramics
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 91, 期号: 8, 页码: 82906-82906
Yan, Z
;
Wang, KF
;
Qu, JF
;
Wang, Y
;
Song, ZT
;
Feng, SL
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/03/24
THIN-FILMS
FERROELECTRICITY
CAPACITORS
Characteristics of sandwich-structured Al2O3/HfO2/Al2O3 gate dielectric films on ultra-thin silicon-on-insulator substrates
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2005, 卷号: 252, 期号: 5, 页码: 1876-1882
Cheng, XH
;
Song, ZR
;
Jiang, J
;
Yu, YH
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/03/24
ATOMIC LAYER DEPOSITION
CAPACITORS
AL2O3
SI
Studies on Al2O3/ZrO2/Al2O3 high K gate dielectrics applied in a fully depleted SOI MOSFET
期刊论文
METALS AND MATERIALS INTERNATIONAL, 2004, 卷号: 10, 期号: 5, 页码: 475-478
Lin, CL
;
Zhang, NL
;
Shen, QW
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/03/24
ZRO2/SIO2/SI LAYERED STRUCTURE
THERMAL-STABILITY
CAPACITORS
FILM
ZRO2
HFO2
High frequency capacitance-voltage characterization of Al2O3/ZrO2/Al2O3 in fully depleted silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor capacitors
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2003, 卷号: 83, 期号: 25, 页码: 5238-5240
Zhang, NL
;
Song, ZT
;
Shen, QW
;
Wu, YJ
;
Liu, QB
;
Lin, CL
;
Duo, XZ
;
Zheng, LR
;
Ding, YF
;
Zhu, ZQ
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
ZRO2/SIO2/SI LAYERED STRUCTURE
THERMAL-STABILITY
MOS CAPACITORS
FILM
ZRO2
DIELECTRICS
HFO2
Stress current calculation of stacked dielectrics in time dependent dielectric breakdown
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2003, 卷号: 94, 期号: 6, 页码: 4032-4035
Yang, WW
;
Cheng, XH
;
Xing, YM
;
Li, WJ
;
Yu, YH
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/03/24
TUNNELING CURRENTS
OXIDE THICKNESS
LEAKAGE CURRENT
MOS CAPACITORS
MODEL
INTERFACES
SIO2
Fatigue-free Pb(Zr0.52Ti0.48)O-3 thin films on indium tin oxide coated substrates by a sol-gel process
期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 1999, 卷号: 69, 期号: 1, 页码: 93-96
Zeng, J
;
Lin, C
;
Li, K
;
Li, J
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/03/25
ELECTRICAL-PROPERTIES
FERROELECTRIC HETEROSTRUCTURES
CAPACITORS
ELECTRODES
FABRICATION
MEMORIES
BARRIER
LAYERS
The structural and electric behavior of SrBi2Ta2O9 ferroelectric thin films with H+ implantation
期刊论文
PHYSICS LETTERS A, 1999, 卷号: 251, 期号: 5, 页码: 336-339
Zeng, JM
;
Zheng, LR
;
Lin, CL
;
Alexe, M
;
Pignolet, A
;
Hesse, D
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/25
CAPACITORS
PB(ZR
TI)O-3
DEGRADATION
INTEGRATION
DAMAGE
Growth and ferroelectric properties of strontium bismuth tantalite thin films using pulsed laser deposition combined with an annealing process
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 1997, 卷号: 30, 期号: 4, 页码: 527-532
Yang, PX
;
Zhou, NS
;
Zheng, LR
;
Lu, HX
;
Lin, CL
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/25
FATIGUE
CAPACITORS
ABLATION
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