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| 一维光子晶体下拓扑绝缘体缺陷的研究 期刊论文
功能材料与器件学报, 2011, 期号: 05
王鹏; 刘勤; 蒋寻涯
  收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2012/04/13
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| 光子晶体中拓扑绝缘体缺陷的研究 学位论文
硕士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2011
王鹏
收藏 | 浏览/下载：37/0 | 提交时间：2012/03/06 |
| 制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101477963, 申请日期: 2009-07-08, 公开日期: 2009-07-08
欧欣; 张苗; 王曦
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| SOI衬底上SiGe HBT材料与器件研究 学位论文
博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2009
陈超
收藏 | 浏览/下载：56/0 | 提交时间：2012/03/06
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| 制备绝缘体上硅材料的内热氧化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101388331, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009
欧 欣; 王 曦; 张 苗
收藏 | 浏览/下载：26/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| MEMS悬臂梁式芯片测试探卡 期刊论文
传感技术学报, 2008, 期号: 03
汪飞; 李昕欣; 郭南翔; 封松林
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2012/01/06
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| 扫描样品无损检测多极激励场发生装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN2888445, 申请日期: 2007-04-11, 公开日期: 2007-04-11, 2007-04-11
任育峰; 孔祥燕; 杨乾声; 杨国桢; 陈赓华
收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2012/07/05 |
| 场效应晶体管的制造方法 成果
鉴定: 无, 2005
王曦
收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2013/04/12 |
| 选择外延法制造源漏在绝缘体上的场效应晶体管 成果
鉴定: 无, 2005
未知
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2013/04/12 |
| 选择外延法制造源漏在绝缘体上的场效应晶体管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1431690, 申请日期: 2003-07-23, 公开日期: 2003-07-23
董业民; 陈猛; 王曦; 王湘
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2012/01/06 |
