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| 锑碲、锗碲相变材料掺杂改性的从头算研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2012
李学来
  收藏 | 浏览/下载：57/0 | 提交时间：2013/04/24
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| 高密度相变存储器选通二极管器件关键技术研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2012
张超
收藏 | 浏览/下载：33/0 | 提交时间：2013/04/24
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| 相变存储芯片的电路设计及高速优化技术研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2012
丁晟
收藏 | 浏览/下载：23/0 | 提交时间：2013/04/24
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| 深亚微米闪存分立器件的总剂量辐射效应及加固技术研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2012
刘张李
收藏 | 浏览/下载：26/0 | 提交时间：2013/04/24
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| 0.18 微米嵌入式闪存总剂量辐射效应研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2012
胡志远
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2013/04/24
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| 利用大衍数列构造QC-LDPC码的方法 期刊论文
西安电子科技大学学报, 2012, 期号: 3, 页码: 144-148+160
朱磊基; 汪涵; 施玉松; 邢涛; 王营冠
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2013/02/22
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| 电子在镍纳米晶中的直接隧穿及其在MOS结构中的存储(英文) 期刊论文
稀有金属材料与工程, 2012, 期号: 1, 页码: 1-4
倪鹤南; 吴良才; 宋志棠; 惠唇
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2013/02/22
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| 一种电阻式随机存取存储器及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102254927A, 申请日期: 2011-11-23, 公开日期: 2011-11-23
吴良才; 倪鹤南; 宋志棠; 周夕淋; 饶峰
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| 多层堆叠电阻转换存储器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102185104A, 申请日期: 2011-09-14, 公开日期: 2011-09-14
张挺; 陈婉; 宋志棠; 刘波; 封松林; 陈邦明
收藏 | 浏览/下载：23/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| 一种电阻转换存储器结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102148329A, 申请日期: 2011-08-10, 公开日期: 2011-08-10
张挺; 朱南飞; 宋志棠; 刘波; 吴关平; 张超; 谢志峰; 封松林
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2012/01/06 |
