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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 半导体结构及其制造方法 专利 专利号: US8809955, 申请日期: 2014-08-19, 公开日期: 2012-07-19 作者:  梁擎擎;  朱慧珑;  吴彬能;  肖卫平;  吴昊 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2015/05/28 Fabrication and characterization of groove-gate MOSFETs based on a self-aligned CMOS process 外文期刊 2006 作者:  Ma, XH;  Hao, Y;  Sun, BG;  Gao, HX;  Ren, HX 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/26 Field-effect Transistors  Carrier-effect Immunity