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| Performance Enhancement for Charge Trapping Memory by Using Al2O3/HfO2/Al2O3 Tri-Layer High-k Dielectrics and High Work Function Metal Gate 期刊论文
ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018
作者: Hou CZ(侯朝昭); Wu ZH(吴振华) ; Yin HX(殷华湘)
  收藏 | 浏览/下载：23/0 | 提交时间：2019/05/05 |
| Band-Edge Work Function Obtained by Plasma Doping TiN Metal Gate for nMOS Device Application 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICE, 2018
作者: Shan Tang; Tao GL(陶桂龙); Li JF(李俊峰); Zhu HL(朱慧珑); Wang XL(王晓磊)
收藏 | 浏览/下载：27/0 | 提交时间：2019/05/20 |
| 金属栅电极等效功函数调节方法 专利
专利号: US9831089, 申请日期: 2017-11-28, 公开日期: 2015-02-05
作者: 王文武; 杨红; 罗维春; 闫江
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2018/07/17 |
| 双金属栅极CMOS器件及其制造方法 专利
专利号: US9384986, 申请日期: 2016-07-05, 公开日期: 2013-10-31
作者: 殷华湘; 付作振; 徐秋霞; 陈大鹏
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2017/06/13 |
| CMOS器件及其制造方法 专利
专利号: US9373622, 申请日期: 2016-06-21, 公开日期: 2016-03-24
作者: 杨红; 张青竹; 徐秋霞; 殷华湘
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2017/06/12 |
| Impact of the Effective Work Function Gate Metal on the Low-Frequency Noise of Gate-All-Around Silicon-on-Insulator NWFETs 期刊论文
IEEE Eletrcon Device Letters, 2016
作者: Fang W(方雯); Eddy Simoen; Ye TC(叶甜春); Zhao C(赵超); Luo J(罗军)
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2017/05/09 |
| Attainment of dual-band edge work function by using a single metal gate and single high-k dielectric via ion implantation for HP CMOS device 期刊论文
Solid-State Electronics, 2016
作者: Xu GB(许高博); Zhou HJ(周华杰); Zhu HL(朱慧珑); Liu JB(刘金彪); Wang Y(王垚)
收藏 | 浏览/下载：26/0 | 提交时间：2017/05/09 |
| Ion-Implanted TiN Metal Gate With Dual Band-Edge Work Function and Excellent Reliability for Advanced CMOS Device Applications 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015
作者: Zhu HL(朱慧珑); Liang QQ(梁擎擎); Liu JB(刘金彪); Li JF(李俊峰); Xiang JJ(项金娟)
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2016/05/31 |
| The effects of process condition of Top-TiN and TaN thickness on the effective work function of MOSCAP with high-k/metal gate stacks 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2014
作者: Chen DP(陈大鹏); Ma XL(马雪丽); Yang H(杨红); Wang WW(王文武); Yin HX(殷华湘)
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2015/05/06 |
| An effective work-function tuning method of nMOSCAP with high-k/metal gate by TiN/TaN double-layer stack thickness 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2014
作者: Chen DP(陈大鹏); Ma XL(马雪丽); Yang H(杨红); Wang WW(王文武); Yin HX(殷华湘)
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2015/05/06 |
