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| A low leakage current Tunneling-FET based on SOI 会议论文
作者: Bu JH(卜建辉) ; Li DL(李多力); Xu GB(许高博); Cai XW(蔡小五); Kuang Y(匡勇)
  收藏 | 浏览/下载：35/0 | 提交时间：2019/05/13 |
| 三维半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201510680212.3, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2016-02-24
作者: 叶甜春; 霍宗亮
收藏 | 浏览/下载：27/0 | 提交时间：2019/03/12 |
| 一种Fin-FET的沟槽隔离的形成方法 专利
专利号: CN201410008441.6, 申请日期: 2018-06-19, 公开日期: 2015-07-08
作者: 杨涛; 卢一泓; 张月; 崔虎山; 李俊峰
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2019/03/21 |
| 通过自对准工艺制备石墨烯顶栅场效应晶体管器件的方法 专利
专利号: CN201410535650.6, 申请日期: 2018-05-22, 公开日期: 2015-01-28
作者: 张大勇; 麻芃; 金智; 史敬元; 王少青
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| 无残留光学光刻胶石墨烯FET的制备及原位表征方法 专利
专利号: CN201410763616.4, 申请日期: 2017-07-28, 公开日期: 2015-03-25
作者: 史敬元; 彭松昂; 金智; 张大勇; 王选芸
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2018/02/07 |
| 基于CVD单层MoS2 FET的光电探测器 期刊论文
微纳电子技术, 2017
作者: 罗军; 粟雅娟; 闫祥宇; 战俊; 贾昆鹏
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2018/07/09 |
| 基于CVD MoS2的新型FET器件的研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2017
作者: 战俊
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2017/08/23 |
| 用于FET的PECVD SiNx掺杂MoS2的有效性与可控性 期刊论文
微纳电子技术, 2017
作者: 罗军; 贾昆鹏; 粟雅娟; 战俊; 段宁远
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2018/07/09 |
| Analysis and optimization of Tunneling-FET based on SOI 会议论文
作者: Li Y(李莹); Han ZS(韩郑生); Luo JJ(罗家俊); Bu JH(卜建辉)
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2017/05/19 |
| A Tunnel Dielectric-Based Tunnel FET 期刊论文
IEEE ELECTR DEVICE L, 2015
作者: Luo ZJ(骆志炯); Wang HF(王鹤飞); Zhu ZY(朱正勇); An N(安宁)
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2016/05/31 |
