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Thermal Analysis of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility HEMT with Graphene 期刊论文
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2018
作者:  Liu HG(刘洪刚);  Jie Sun;  Zhang GB(张国斌);  Zhao M(赵妙);  Chunli Yan
收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/04/19
Gate leakage optimization of AlGaN/GaN HEMTs by N2 plasma surface treatment 会议论文
作者:  Liang JX(梁竞贤);  Wei K(魏珂);  Luo WJ(罗卫军)
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/14
Comparison of 10 Mev Electron Beam Irradiation Effect on InGaN/GaN and AlGaN/GaN Multiple Quantum Well 会议论文
作者:  Bo Mei;  Wang L(王磊);  Qingxuan Li;  Ningyang Liu;  Ligang Song
收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2019/05/10
High-Temperature-Recessed Millimeter-Wave AlGaN/GaN HEMTs With 42.8% Power-Added-Efficiency at 35 GHz 期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2018
作者:  Zheng YK(郑英奎);  Liu GG(刘果果);  Chen XJ(陈晓娟);  Wang XH(王鑫华);  Huang S(黄森)
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/04/19
Analysis of reverse leakage current mechanism of AlGaN/GaN HEMTs with N2 Plasma ssurface treatment 期刊论文
solid-state electronics, 2018
作者:  Zhang ZJ(张宗敬);  Liu H(刘辉);  Luo WJ(罗卫军)
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/04/19
Ultrathin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure: A Recess-Free Technology for Manufacturing High-Performance GaN-on-Si Power Devices 期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2018
作者:  Shi JY(史敬元);  Fan J(樊捷);  Kang XW(康玄武);  Wang XH(王鑫华);  Huang S(黄森)
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/04/19
基于BCl3/Cl2/Ar气体的ICP刻蚀技术对于GaN HEMT器件肖特基性能的改进 会议论文
作者:  陈晓娟;  王鑫华;  魏珂;  郑英奎;  樊捷
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/07/20
N2 plasma treatment for gate leakage reduction in AlGaN/GaN HEMT 会议论文
作者:  Wang XH(王鑫华);  Huang S(黄森);  Chen XJ(陈晓娟);  Wei K(魏珂);  Liu GG(刘果果)
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/07/20
Improvement of the GaN/AlGaN HEMTs Performance with BCl3/Cl2/Ar-Based Inductively Coupled Plasma Etching 会议论文
作者:  Wei K(魏珂);  Zheng YK(郑英奎)
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2018/07/20
基于Recess欧姆接触结构的AlGaN/GaN HEMT器件研究 期刊论文
半导体技术, 2017
作者:  魏珂;  陈诗哲;  刘新宇;  王泽卫;  张宗敬
收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2018/05/16

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