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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种电路板接口静电放电防护电路 专利 专利号: CN201120332124.1, 申请日期: 2012-11-21, 作者:  姜一波;  曾传滨;  韩郑生;  罗家俊 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2016/04/07 一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法 专利 专利号: CN200710064870.5, 申请日期: 2012-05-23, 公开日期: 2008-10-01 作者:  海潮和;  曾传滨;  李多力;  李晶;  韩郑生 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26 一种提高集成电路芯片抗静电能力的封装方法 专利 专利号: CN200810104225.6, 申请日期: 2010-12-01, 公开日期: 2009-10-21 作者:  李晶;  韩郑生;  李多力;  海潮和;  曾传滨 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/26 采用容性封装技术提高ESD防护性能研究 期刊论文 半导体技术, 2009, 卷号: 34, 期号: 9, 页码: 5，876-880 作者:  海潮和;  李多力;  韩郑生;  曾传滨;  李晶 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/06/01 静电放电  电容  封装  传输线脉冲发生器  钳位电路  集成电路  Ir   LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法 期刊论文 半导体技术, 2009, 卷号: 34, 期号: 10, 页码: 6，968-973 作者:  杜寰;  刘梦新;  陈蕾;  宋李梅 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/06/01 横向双扩散场效应晶体管  静电放电防护  深漏极注入  击穿现象