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| 一种时钟倍压电路及电荷泵 专利
专利号: CN201611177098.3, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2017-04-26
作者: 钟汇才 ; 龙煌; 田敏; 李弦
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410484648.0, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2016-04-13
作者: 殷华湘; 张永奎; 赵治国; 陆智勇; 朱慧珑
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| 三维半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201510680212.3, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2016-02-24
作者: 叶甜春; 霍宗亮
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| 鳍式场效应晶体管及其制造方法 专利
专利号: CN201410838568.0, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2016-07-27
作者: 许淼; 朱慧珑; 赵利川
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| 一种半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410480152.6, 申请日期: 2018-08-10, 公开日期: 2016-04-13
作者: 徐烨锋; 闫江; 唐兆云; 唐波; 许静
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| 一种SOI基的PN结建模方法 专利
专利号: CN201510580438.6, 申请日期: 2018-07-13, 公开日期: 2015-12-09
作者: 卜建辉; 赵博华; 罗家俊; 韩郑生
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| 一种半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410478987.8, 申请日期: 2018-06-05, 公开日期: 2016-04-13
作者: 唐波; 许静; 徐烨锋; 闫江; 唐兆云
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| 半导体制造方法 专利
专利号: CN201310215647.1, 申请日期: 2018-04-03, 公开日期: 2014-12-17
作者: 朱慧珑; 殷华湘; 秦长亮
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| 辐射探测电路 专利
专利号: CN201410645500.0, 申请日期: 2017-04-05, 公开日期: 2015-03-04
作者: 刘鑫; 刘梦新; 韩郑生; 赵发展
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| 高电子迁移率晶体管及其制造方法 专利
专利号: CN201210343035.6, 申请日期: 2017-02-08, 公开日期: 2014-03-26
作者: 罗军; 包琦龙; 邓坚; 赵超
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