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| 嵌段共聚物自组装制造纳米结构的方法 专利
专利号: CN201610066983.8, 申请日期: 2018-06-26, 公开日期: 2016-05-11
作者: 孟令款; 闫江
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| P型MOSFET的制造方法 专利
专利号: CN201210506496.0, 申请日期: 2018-05-22, 公开日期: 2014-06-11
作者: 周华杰; 梁擎擎; 徐秋霞; 朱慧珑; 许高博
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| 金属氧化物半导体控制晶闸管的di/dt优化 期刊论文
半导体技术, 2018
作者: 韩郑生; 宋李梅; 胡飞
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| 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 专利
专利号: CN201410643283.1, 申请日期: 2017-06-20, 公开日期: 2015-03-11
作者: 汤益丹; 白云; 申华军; 霍瑞彬; 刘新宇
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| 半导体器件的制造方法 专利
专利号: CN201210505744.X, 申请日期: 2016-09-28, 公开日期: 2014-06-11
作者: 周华杰; 陈大鹏; 徐秋霞; 朱慧珑; 许高博
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| InP表面氮化对Al2O3/InP金属氧化物半导体电容界面特性及漏电特性的影响 期刊论文
真空科学与技术学报, 2016
作者: 曹明民; 林子曾; 刘洪刚; 王盛凯
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| 多栅晶体管及其制造方法 专利
专利号: CN201110199673.0, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2013-01-16
作者: 李俊峰; 赵超; 罗军
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210083156.1, 申请日期: 2016-08-10, 公开日期: 2013-10-23
作者: 徐秋霞; 殷华湘; 马小龙; 陈大鹏
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| 一种浅沟槽隔离结构及其制造方法 专利
专利号: CN201210331626.1, 申请日期: 2016-06-08, 公开日期: 2014-03-26
作者: 赵超; 钟汇才; 梁擎擎
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| 高稳定性非晶态金属氧化物TFT器件 专利
专利号: CN201110257880.7, 申请日期: 2016-03-30, 公开日期: 2013-03-13
作者: 王玉光; 殷华湘; 董立军; 陈大鹏
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