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| SiC肖特基接触高温特性研究及沟槽二极管研制 学位论文
: 中国科学院大学, 2018
作者: 董升旭
  收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2018/09/05 |
| 3 300 V高压4H-SiC结势垒肖特基二极管器件的研制 期刊论文
大功率变流技术, 2016
作者: 高云斌; 吴煜东; 申华军 ; 彭朝阳; 刘新宇
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2017/05/08 |
| 一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法 专利
专利号: CN201310589191.5, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2014-02-12
作者: 杨谦; 韩林超; 申华军; 白云; 汤益丹
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2017/05/27 |
| 一种SiC肖特基二极管及其制作方法 专利
专利号: CN201310580966.2, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2014-02-12
作者: 汤益丹; 刘新宇; 许恒宇; 蒋浩杰; 赵玉印
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2017/05/27 |
| 一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 专利
专利号: CN201210483461.X, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2013-03-27
作者: 史晶晶; 白云; 刘可安; 申华军; 汤益丹
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2016/06/20 |
| SiC肖特基势垒二极管的研制及可靠性研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2015
作者: 于海龙
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2017/09/06 |
| SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 专利
专利号: CN201110380662.2, 申请日期: 2014-08-13, 公开日期: 2012-05-02
作者: 汤益丹; 白云; 李博; 刘新宇; 周静涛
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2012/11/20 |
| 一种肖特基二极管接触孔制备的可测试性监控方法 专利
专利号: CN103972128A, 申请日期: 2014-08-06,
作者: 杨成樾; 任田昊; 金智; 周静涛
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2017/05/27 |
| SiC肖特基势垒二极管关键工艺开发与器件研制 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 韩林超
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2017/09/29 |
| InP基太赫兹肖特基二极管 期刊论文
Journal of semiconductors, 2013
作者: 杨成樾; 周静涛; 金智
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2014/10/27 |
