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半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410398357.X, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-03-30
作者:  王桂磊;  崔虎山;  殷华湘;  李俊峰;  朱慧珑
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半导体制造方法 专利
专利号: CN201310215647.1, 申请日期: 2018-04-03, 公开日期: 2014-12-17
作者:  朱慧珑;  殷华湘;  秦长亮
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半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210246436.X, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2014-01-29
作者:  秦长亮;  洪培真;  殷华湘
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半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201110159506.3, 申请日期: 2016-03-30, 公开日期: 2012-12-19
作者:  钟汇才;  罗军;  赵超;  李俊峰
收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2012/12/16
一种MOS器件及其制造方法 专利
专利号: CN201110329077.X, 申请日期: 2016-03-30, 公开日期: 2013-05-01
作者:  陈大鹏;  徐秋霞;  殷华湘
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半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201110159506.3, 申请日期: 2016-03-30, 公开日期: 2012-12-19
作者:  罗军;  赵超;  钟汇才;  李俊峰
收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2017/07/03
半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201110104362.1, 申请日期: 2015-05-06, 公开日期: 2012-10-31
作者:  罗军;  赵超;  钟汇才;  李俊峰
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2016/09/18
半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201010553050.4, 申请日期: 2014-05-21, 公开日期: 2012-05-30
作者:  罗军;  赵超
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2015/06/01
用于193nm光学光刻的侧墙铬衰减型移相掩模制作方法 专利
专利号: CN200610003068.0, 公开日期: 2007-08-15
作者:  刘明;  谢常青
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