|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 一种平面型IGBT结构的制备方法 专利
专利号: CN201310085579.1, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-06-04
作者: 卢烁今 ; 赵佳; 朱阳军; 陆江; 田晓丽
  收藏 | 浏览/下载：26/0 | 提交时间：2019/03/07 |
| 一种沟槽型IGBT结构的制作方法 专利
专利号: CN201310085577.2, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2014-06-04
作者: 赵佳; 朱阳军; 胡爱斌; 卢烁今
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2019/03/07 |
| 一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法 专利
专利号: CN201510564659.4, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2015-11-18
作者: 彭朝阳; 刘新宇; 刘国友; 李诚瞻; 汤益丹
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2019/03/07 |
| 基于MEMS的原位液体TEM芯片的设计与制作 期刊论文
微纳电子技术, 2018
作者: 焦磊涛; 欧文; 蒋文静
收藏 | 浏览/下载：29/0 | 提交时间：2019/04/25 |
| 一种终端与有源区形成弱电连接的结构及其设计方法 专利
专利号: CN201310086213.6, 申请日期: 2018-06-15, 公开日期: 2014-06-04
作者: 褚为利; 朱阳军; 田晓丽; 赵佳
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/03/07 |
| 一种半导体器件的制造方法 专利
专利号: CN201410196176.9, 申请日期: 2018-03-06, 公开日期: 2015-11-25
作者: 李俊峰; 刘金彪; 赵超; 王桂磊
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2019/03/14 |
| 一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法 专利
专利号: CN201611129480.7, 申请日期: 2018-02-22, 公开日期: 2017-02-22
作者: 刘新宇; 金智; 戴小宛; 桂羊羊; 孙恒超
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2019/03/07 |
| 一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法 专利
专利号: CN201611130606.2, 申请日期: 2018-02-02, 公开日期: 2017-02-15
作者: 戴小宛; 贾锐; 孙恒超; 金智; 刘新宇
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2019/03/07 |
| 基于湿法预释放结构的MEMS红外光源 专利
专利号: CN201621033986.3, 申请日期: 2017-03-15,
作者: 王玮冰; 陈大鹏; 孙西龙; 刘卫兵; 明安杰
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2018/02/05 |
| 后栅工艺中假栅的制造方法 专利
专利号: CN201110433706.3, 申请日期: 2017-03-08, 公开日期: 2013-06-26
作者: 卢一泓; 杨涛; 赵超; 李俊峰; 赵玉印
收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2018/04/03 |
