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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 栅电极的形成方法 专利 专利号: CN201210309498.0, 申请日期: 2016-08-03, 公开日期: 2014-03-12 作者:  罗军;  钟汇才;  梁擎擎;  赵超 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2017/06/12 非易失性三维半导体存储器件及制备方法 专利 专利号: CN201110390695.5, 申请日期: 2015-04-08, 公开日期: 2013-06-05 作者:  霍宗亮;  刘明 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2016/10/26 大面积平板常压射频冷等离子体系统 专利 专利号: CN201414256, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 2010-02-24, 2010-11-26 作者:  王守国;  张超前;  赵玲利;  杨景华 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2010/11/26 一种制备ZnO顶栅纳米线场效应管的方法 专利 专利号: CN101552207, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-10-07, 2010-11-26 作者:  徐静波;  黎明;  张海英;  付晓君 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/26 常压低温冷等离子体放电通道装置 专利 专利号: CN2746712, 申请日期: 2004-03-18, 公开日期: 2005-12-14, 2010-11-26 作者:  王守国 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2010/11/26