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| 用于衰变检测三维光电探测器的制造与集成技术 学位论文
: 中国科学院大学, 2019
作者: 杨海博
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| 一种高光谱图像传感器的单片集成方法 专利
专利号: CN201610214392.0, 申请日期: 2018-12-25, 公开日期: 2016-07-06
作者: 崔虎山; 项金娟 ; 贺晓彬; 杨涛; 李俊峰
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410398357.X, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-03-30
作者: 王桂磊; 崔虎山; 殷华湘; 李俊峰; 朱慧珑
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410707178.X, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-06-22
作者: 钟汇才; 罗军; 赵超; 朱慧珑
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| 具有自对准栅结构的半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201510888498.4, 申请日期: 2018-12-07, 公开日期: 2016-05-25
作者: 朱慧珑; 万光星
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| 一种滤波器及其形成方法 专利
专利号: CN201410213861.8, 申请日期: 2018-11-16, 公开日期: 2015-11-25
作者: 阎跃鹏; 牟鹏飞; 万晶
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| 包括带电荷穿通阻止层以降低穿通的CMOS器件及其制造方法 专利
专利号: US10128244, 申请日期: 2018-11-13, 公开日期: 2017-05-11
作者: 朱慧珑; 魏星
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| 一种承片台 专利
专利号: CN201510520156.7, 申请日期: 2018-11-09, 公开日期: 2016-01-06
作者: 夏洋; 李楠; 陈波
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| 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法 专利
专利号: CN201610306272.3, 申请日期: 2018-11-09, 公开日期: 2016-07-20
作者: 彭松昂; 金智; 王少青; 毛达诚; 史敬元
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| SiGe体区纵向1T-DRAM器件及其制造方法 专利
专利号: CN201310035130.4, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-08-06
作者: 方雯; 罗军; 赵超
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