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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：宁波材料技术与工程研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Bio-polysaccharide electrolyte gated photoelectric synergic coupled oxide neuromorphic transistor with Pavlovian activities 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2020, 卷号: 8, 期号: 8, 页码: 2780-2789 作者:  Guo, Yan Bo;  Zhu, Li Qiang;  Long, Ting Yu;  Wan, Dong Yun;  Ren, Zheng Yu 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/12/16 RESISTIVE SWITCHING MEMORY  SKIN   Ultrathin flexible InGaZnO transistor for implementing multiple functions with a very small circuit footprint 期刊论文 NANO RESEARCH, 2020, 卷号: 14, 期号: 1, 页码: 232-238 作者:  Dai, Chaoqi;  Chen, Peiqin;  Qi, Shaocheng;  Hu, Yongbin;  Song, Zhitang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/12/16 LOGIC GATES  MEMORY  FILM  REALIZATION   High-Performance Visible-Blind Ultraviolet Photodetector Based on IGZO TFT Coupled with p-n Heterojunction 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018, 卷号: 10, 期号: 9, 页码: 8102-8109 作者:  Yu, Jingjing;  Javaid, Kashif;  Liang, Lingyan;  Wu, Weihua;  Liang, Yu 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2018/12/04 Thin-film  Uv Photodetectors  Layer  Zno  Phototransistors  Responsivity   Band alignment of indium-gallium-zinc oxide/beta-Ga2O3((2)over-bar01) heterojunction determined by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 57, 期号: 10 作者:  Huan, Ya-Wei;  Wang, Xing-Lu;  Liu, Wen-Jun;  Dong, Hong;  Long, Shi-Bing 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2018/12/04 Beta-ga2o3 Single-crystals  Ohmic Contacts  Offsets  Heterostructures  Valence  Growth  Edge   Band alignment of indium-gallium-zinc oxide/beta-Ga2O3((2)over-bar01) heterojunction determined by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 57, 期号: 10 作者:  Huan, Ya-Wei;  Wang, Xing-Lu;  Liu, Wen-Jun;  Dong, Hong;  Long, Shi-Bing 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2018/12/04 Beta-ga2o3 Single-crystals  Ohmic Contacts  Offsets  Heterostructures  Valence  Growth  Edge