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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：长春光学精密机械与物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Suppressed optical field and electron leakage and enhanced hole injection in InGaN laser diodes with InGaN-GaN-InGaN barriers 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2021, 卷号: 130, 期号: 18 作者:  L. Cheng;  J. Zhang;  J. Wang;  J. Zhang;  J. Yang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2022/06/13 Room-temperature continuous-wave electrically pumped InGaN GaN quantum well blue laser diode directly grown on Si 期刊论文 Light-Science & Applications, 2018, 卷号: 7, 页码: 6 作者:  Sun, Y.;  Zhou, K.;  Feng, M. X.;  Li, Z. C.;  Zhou, Y. 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/09/17 x-ray-diffraction  high-power  gan  dislocation  relaxation  films  Optics   Room-Temperature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Laser Grown on Si 期刊论文 Acs Photonics, 2018, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 699-704 作者:  Feng, M. X.;  Li, Z. C.;  Wang, J.;  Zhou, R.;  Sun, Q. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/09/17 AlGaN  near-ultraviolet  laser  Si substrate  stress  defect  light-emitting-diodes  gan  efficiency  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  Optics  Physics   Room-temperature electrically pumped InGaN-based microdisk laser grown on Si 期刊论文 Optics Express, 2018, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 5043-5051 作者:  Feng, M. X.;  He, J. L.;  Sun, Q.;  Gao, H. W.;  Li, Z. C. 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/09/17 high-power  gan  diodes  Optics   Study on active support for large SiC primary mirror and force actualtor design 期刊论文 Hongwai yu Jiguang Gongcheng/Infrared and Laser Engineering, 2016, 卷号: 45, 期号: 7 作者:  Li, J.;  X. Wu and L. Shao 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2017/09/11