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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：长春光学精密机械与物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti-Si3N4-n-GaN MIS device 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 740, 页码: 816-822 作者:  Chen, Y. R.;  Li, Z. M.;  Zhang, Z. W.;  Hu, L. Q.;  Jiang, H. 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/09/17 Data storage materials  Resistive switching  Metal-insulator-semiconductor  Annealing effect  Nonvolatile memory  nonvolatile memory  behaviors  mechanism  breakdown  layer  power  ti  Chemistry  Materials Science  Metallurgy & Metallurgical Engineering   AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 学位论文 博士: 中国科学院大学, 2014 作者:  陈一仁 收藏  |  浏览/下载：127/0  |  提交时间：2014/08/21