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Growth of low-threading-dislocation-density GaN on graphene by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017
作者:  He, Shunyu;  Xu, Yu;  Qi, Lin;  Li, Zongyao;  Cao, Bing
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2018/02/05
Reduction of threading dislocation density for AlN epilayer via a highly compressive-stressed buffer layer 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017
作者:  Huang, Jun（黄俊）;  Niu, Mu Tong（牛牧童）;  Zhang, Ji Cai（张纪才）;  Wang, Wei;  Wang, Jian Feng（王建峰）
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2018/02/06
The electrical properties of bulk GaN crystals grown by HVPE 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2016, 卷号: 436
作者:  Gu, H(顾泓);  Ren, GQ(任国强);  Zhou, TF(周桃飞);  Tian, FF(田飞飞);  Xu, Y(徐俞)
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2017/03/11
Control of symmetric properties of metamorphic In0.27Ga0.73As layers by substrate misorientation 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 3
作者:  Yu, SZ(于淑珍);  Dong, JR(董建荣);  Sun, YR(孙玉润);  Li, KL(李奎龙);  Zeng, XL(曾徐路)
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/03/11
Control of threading dislocations by strain engineering in GaInP buffers grown on GaAs substrates 期刊论文
THIN SOLID FILMS, 2015, 卷号: 593, 页码: 5
作者:  Li, KL(李奎龙);  Sun, YR(孙玉润);  Dong, JR(董建荣);  He, Y(何洋);  Zeng, XL(曾徐路)
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/12/31
Influence of vicinal sapphire substrate on the properties of N-polar GaN films grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 105, 期号: 8
作者:  Su XJ(苏旭军)
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/11/27
Effects of substrate miscut on threading dislocation distribution in metamorphic GaInAs/AlInAs buffers 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2014, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 581-585
作者:  Yang, H (杨辉);  Yu, SZ (于淑珍);  Dong, JR (董建荣);  Zhao, YM (赵勇明)
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/12/01
Effects of substrate miscut on dislocation glide in metamorphic (Al) GaInP buffers 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 380, 期号: 0, 页码: 261-267
作者:  Li, KL;  Sun, YR;  Dong, JR(董建荣);  Zhao, YM;  Yu, SZ
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2014/01/13
Effects of Substrate Miscut on the Quality of In0.3Ga0.7As Layers Grown on Metamorphic (Al)GaInP Buffers by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition 期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2013, 卷号: 6, 期号: 6
作者:  Zhao, YM(赵勇明);  Dong, JR(董建荣);  Yang, H(杨辉);  Yu, SZ(于淑珍)
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/01/13
Compositionally undulating step-graded InAsyP1-y buffer layer growth by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 363, 期号: 0, 页码: 44-48
作者:  Ji, L(季莲);  Zhao, YM(赵勇明);  Yang, H(杨辉);  Dong, JR(董建荣);  Lu, SL(陆书龙)
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/01/09

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