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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fabrication of normally-off AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors by photo-electrochemical gate recess etching in ionic liquid 期刊论文 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 8 作者:  Zhang, ZL(张志利);  Qin, SJ(秦双娇);  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Li, WY 收藏  |  浏览/下载：79/0  |  提交时间：2017/03/11 Diamond based field-effect transistors with SiNX and ZrO2 double dielectric layers 期刊论文 DIAMOND AND RELATED MATERIALS, 2016, 卷号: 69 作者:  Wang, W;  Fu, K(付凯);  Hu, C;  Li, FN;  Liu, ZC 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/11 Compatibility of AlN/SiNx Passivation With LPCVD-SiNx Gate Dielectric in GaN-Based MIS-HEMT 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 卷号: 37, 期号: 3 作者:  Hua, MY;  Lu, YY;  Liu, SH;  Liu, C 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11 Studies on High-Voltage GaN-on-Si MIS-HEMTs Using LPCVD Si3N4 as Gate Dielectric and Passivation Layer 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 2 作者:  Zhang, ZL(张志利);  Yu, GH(于国浩);  Zhang, XD(张晓东);  Deng, XG(邓旭光);  Li, SM(李水明) 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2017/03/11 GaN-Based Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors Using Low-Pressure Chemical Vapor Deposition SiNx as Gate Dielectric 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 卷号: 36, 期号: 5, 页码: 3 作者:  Hua, MY;  Liu, C;  Yang, S;  Liu, SH;  Fu, K(付凯) 收藏  |  浏览/下载：108/0  |  提交时间：2015/12/31 Gallium nitride  MIS-HEMT  LPCVD  silicon nitride  gate dielectric   Normally Off AlGaN/GaN MIS-High-Electron Mobility Transistors Fabricated by Using Low Pressure Chemical Vapor Deposition Si3N4 Gate Dielectric and Standard Fluorine Ion Implantation 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 卷号: 36, 期号: 11, 页码: 4 作者:  Zhang, ZL(张志利);  Fu, K(付凯);  Deng, XG(邓旭光);  Zhang, XD(张晓东);  Fan, YM(范亚明) 收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2015/12/31 AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT)  standard fluorine ion implantation  normally off   Characterization of Leakage and Reliability of SiNx Gate Dielectric by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition for GaN-based MIS-HEMTs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015, 卷号: 62, 期号: 10, 页码: 8 作者:  Hua, MY;  Liu, C;  Yang, S;  Liu, SH;  Fu, K 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2015/12/31 Gallium nitride  gate dielectric  low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD)  silicon nitride