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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Control of symmetric properties of metamorphic In0.27Ga0.73As layers by substrate misorientation 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 3 作者:  Yu, SZ(于淑珍);  Dong, JR(董建荣);  Sun, YR(孙玉润);  Li, KL(李奎龙);  Zeng, XL(曾徐路) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/03/11 The anisotropic distribution of dislocations and tilts in metamorphic GaInAs/AlInAs buffers grown on GaAs substrates with miscut angles toward (111)A 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2014, 卷号: 597, 期号: 0, 页码: 45-49 作者:  Yang H(杨辉);  Dong JR(董建荣);  Zhao YM(赵勇明);  Yu SZ(于淑珍) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2014/12/08 Semiconductor  Tilt  Anisotropy  Dislocations  X-ray diffraction