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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：金属研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 VI/II ratio-dependent growth and photoluminescence of cubic CdSe epilayers by molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 卷号: 329, 期号: 1, 页码: 1-5 作者:  Zhao, Jie;  Zeng, Yiping;  Yang, Qiumin;  Li, Yiyang;  Cui, Lijie 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2021/02/02 Reflection high-energy electron diffraction  X-ray diffraction  Atomic force microscopy  Molecular beam epitaxy  Cadmium compounds  Semiconducting II-VI materials   VI/II ratio-dependent growth and photoluminescence of cubic CdSe epilayers by molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 卷号: 329, 期号: 1, 页码: 1-5 作者:  Zhao, Jie;  Zeng, Yiping;  Yang, Qiumin;  Li, Yiyang;  Cui, Lijie 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2021/02/02 Reflection high-energy electron diffraction  X-ray diffraction  Atomic force microscopy  Molecular beam epitaxy  Cadmium compounds  Semiconducting II-VI materials   Substrate temperature dependence of ZnTe epilayers grown on GaAs(001) by molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2010, 卷号: 312, 期号: 9, 页码: 1491-1495 作者:  Zhao, Jie;  Zeng, Yiping;  Liu, Chao;  Li, Yanbo 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2021/02/02 Reflection high-energy electron diffraction  Atomic force microscopy  Molecular beam epitaxy  Zinc compounds  Semiconducting II-VI materials