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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：金属研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates 期刊论文 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215-218 作者:  Dong, HW;  Zhao, YW;  Li, JM 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2021/02/02 semi-insulating InP  ion implantation  silicon  annealing  activation   Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates 期刊论文 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215-218 作者:  Dong, HW;  Zhao, YW;  Li, JM 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2021/02/02 semi-insulating InP  ion implantation  silicon  annealing  activation