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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：金属研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 6 作者:  Li Hui;  Zhou Kai;  Pang Jingbiao;  Shao Yundong;  Wang Zhu 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/02/02 Gallium vacancy and the residual acceptor in undoped GaSb studied by positron lifetime spectroscopy and photoluminescence 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2002, 卷号: 80, 期号: 21, 页码: 3934-3936 作者:  Ling, CC;  Mui, WK;  Lam, CH;  Beling, CD;  Fung, S 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2021/02/02