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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：金属研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 1.54 mu m Er3+ electroluminescence from an erbium-compound-doped organic light emitting diode with a p-type silicon anode 期刊论文 Journal of Physics D-Applied Physics, 2006, 卷号: 39, 期号: 13, 页码: 2711-2714 W. Q. Zhao; P. F. Wang; G. Z. Ran; G. L. Ma; B. R. Zhang; W. M. Liu; S. K. Wu; L. Dai; G. G. Qin 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2012/04/14 molecular-beam epitaxy  photoluminescence  oxide   Dependence of 1.54 mu m photoluminescence on excess-Si degrees of Er-doped Si-rich SiO2 films deposited by magnetron sputtering 期刊论文 Chinese Physics Letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 7, 页码: 986-988 G. Z. Ran; Y. Chen; Z. C. Ma; W. H. Zong; L. Q. Xie; C. G. Guo; G. C. Qin 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2012/04/14 silicon-oxide  electroluminescence  nanocrystals  sio2-films  luminescence   Room-temperature 1.54 mu m electroluminescence from Er-doped silicon-rich silicon oxide films deposited on n(+)-Si substrates by magnetron sputtering 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 11, 页码: 5835-5837 G. Z. Ran; Y. Chen; W. C. Qin; J. S. Fu; Z. C. Ma; W. H. Zong; H. Lu; J. Qin; G. G. Qin 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/04/14 molecular-beam epitaxy  erbium  si  photoluminescence  diodes