×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
兰州大学 [99]
内容类型
期刊论文 [91]
会议论文 [8]
发表日期
2014 [4]
2012 [8]
2011 [5]
2010 [9]
2009 [5]
2008 [16]
更多...
学科主题
crystallog... [5]
physics [2]
.Compound ... [1]
421 Streng... [1]
531 Metall... [1]
531 Metall... [1]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共99条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:兰州大学
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Manifestation of unexpected semiconducting properties in few-layer orthorhombic arsenene
期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2015, 卷号: 8, 期号: 5
作者:
Zhang, ZY
;
Xie, JF
;
Yang, DZ
;
Wang, YH
;
Si, MS
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2017/01/13
SOI基上制备CuO纳米线
期刊论文
功能材料/Gongneng Cailiao/Journal of Functional Materials, 2014, 卷号: 45, 期号: S1, 页码: 165-168
作者:
常敬先
;
李海蓉
;
马国富
;
王鹏
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/06/24
SOI
铜膜生长法
前驱体
热处理
CuO纳米线
Copper film growth
CuO nanowires
Precursor
SOI
Thermal-annealing
GaAs-on-insulator fabricated via ion-cut in epitaxial GaAs /Ge substrate
会议论文
2014 12th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, ICSICT 2014, Guilin, China, October 28, 2014 - October 31, 2014
作者:
Chang, Yongwei
;
Chen, Da
;
Di, Zengfeng
;
Zhang, Miao
;
Yu, Wenjie
收藏
  |  
浏览/下载:0/0
  |  
提交时间:2017/01/20
Semiconducting gallium
Bonding
Chemical bonds
Etching
Gallium arsenide
Germanium
Molecular beam epitaxy
Silicon oxides
Silicon wafers
Wafer bonding
Annealing temperatures
Bulk substrates
Chemical etching
Dose implantation
Epitaxial GaAs
High-crystalline quality
Room temperature bonding
Sacrificial layer
Ultrathin low temperature Si0.75Ge0.25/Si buffer layer for the growth of high quality Ge epilayer on Si (100) by RPCVD
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 卷号: 386, 页码: 38-42
作者:
Chen, D
;
Wei, X
;
Xue, ZY
;
Bian, JT
;
Wang, G
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/05/25
Point defect
Single crystal growth
Chemical vapor deposition processes
Semiconducting germanium
Reaction mechanism of atomic layer deposition of Al on the Si(100) surface: A density functional theory study
期刊论文
Advanced Materials Research, 2014, 卷号: 941-944, 页码: 1283-1287
作者:
Dong, Mao Jin
;
Fang, Ran
;
Xiong, Yu Qing
;
Wang, Duo Shu
;
Wang, Ji Zhou
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2016/10/20
Activation barriers
Adsorption energies
Chemical adsorption
Density functional theory studies
Endothermic reactions
Process mechanisms
Reaction mechanism
Trimethyl aluminums
溶胶-凝胶法制备K-N共掺ZnO薄膜的结构及光学特性
期刊论文
功能材料/Gongneng Cailiao/Journal of Functional Materials, 2013, 卷号: 44, 期号: 22, 页码: 3301-3304
作者:
张振兴
;
张海军
;
廖梦舟
;
周华
;
谢二庆
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2015/04/27
ZnO薄膜
K-N共掺杂
光学带隙
光致发光谱
溶胶-凝胶法
Co-doping
Green photoluminescence
Hexagonal structures
Preferential growth
Si (100) substrate
Structural and optical properties
Visible spectrophotometers
ZnO films
Gas sensing properties of p-type semiconducting vanadium oxide nanotubes
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2012, 卷号: 258, 期号: 24, 页码: 9554-9558
作者:
Yu, ML
;
Liu, XQ
;
Wang, Y
;
Zheng, YB
;
Zhang, JW
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/05/25
Nanotubes
Vanadium oxide
P-type semiconductor
Sensors
GaAs基β辐射伏特效应微电池的参量优化设计研究
期刊论文
原子能科学技术, 2012, 卷号: 46, 期号: S1, 页码: 611-616
作者:
刘云鹏
;
汤晓斌
;
丁丁
;
谢芹
;
陈飞达
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2016/07/18
砷化镓
微电池
β辐射伏特效应
蒙特卡罗方法
Beta particles
Betavoltaic
Depletion region
Design scheme
Doping concentration
Electron hole pairs
Fill factor
GaAs
Junction depth
Maximum output power
Microbattery
Minority carrier diffusion length
Monte Carlo Simulation
Output performance
P-n junction
P-n junction depth
Parameter values
Parameters optimization
Self-absorption effects
Surface area
Transport process
衬底温度及蒸发条件对有机光电探测器性能的影响
期刊论文
光电子·激光/Guangdianzi Jiguang/Journal of Optoelectronics Laser, 2012, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 439-444
作者:
张旭
;
何锡源
;
王德明
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2015/04/27
Si衬底
温度
蒸发条件
有机光电探测器
影响
Atomic force microscope (AFM)
Electrooptical properties
Evaporation temperature
Evaporation time
High resolution
Influence
Lateral force
Organic films
Organic photodetector
P-type Si
Polycrystalline thin film
Preparation process
Process condition
Si substrate
Substrate temperature
衬底对PTCDA薄膜结构与电荷输运特性的影响
期刊论文
发光学报/Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2012, 卷号: 33, 期号: 3, 页码: 334-340
作者:
杨汀
;
谢吉鹏
;
范国莹
;
吕文理
;
彭应全
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2015/04/27
苝四甲酸二酐
有机半导体
迁移率
电荷传输
Atomic force microscope (AFM)
Current conduction
Current density-voltage curves
Electron transport
Electronic conduction
Electronic transport properties
Film planes
Metal-organic interface
Numerical values
Poor performance
PTCDA
PTCDA films
PTCDA thin films
Space charge limited currents
Structure and morphology
Thermionic emission theory
XRD
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace