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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：兰州大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Self-compliance multilevel storage characteristic in HfO2-based device 期刊论文 Chinese Physics B, 2016, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 106102-1-106102-3 作者:  Gao, Xiao-Ping;  Fu, Li-Ping;  Chen, Chuan-Bing;  Yuan, Peng;  Li, Ying-Tao 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/01/12 resistive switching  resistive random access memory  multilevel  self-compliance   Multiferroic and multilevel resistive switching properties of LaFeO3-PbTiO3 films grown on Nb:SrTiO3 (001) substrate 会议论文 作者:  Gao, CX;  Zhang, P;  Zhang, C;  Dong, CH 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/01/20 Electrical properties  Ferroelectric properties  Magnetic properties  Functional applications  LaFeO3-PbTiO3   Coexistence of diode-like volatile and multilevel nonvolatile resistive switching in a ZrO2/TiO2 stack structure 期刊论文 NANOTECHNOLOGY, 2015, 卷号: 26, 期号: 39 作者:  Li, YT;  Yuan, P;  Fu, LP;  Li, RR;  Gao, XP 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/01/13 resistive switching  volatile  nonvolatile   Nonvolatile multilevel memory effect in Cu/WO3/Pt device structures 期刊论文 PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2010, 卷号: 4, 期号: 5-6, 页码: 124-126 作者:  Lu, YT;  Long, SB;  Liu, Q;  Wang, Q;  Zhang, MH 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/05/25 resistive switching  nonvolatile memory  multilevel   Investigation of resistive switching in Cu-doped HfO2 thin film for multilevel non-volatile memory applications 期刊论文 NANOTECHNOLOGY, 2010, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 045202- 作者:  Wang, Y;  Liu, Q;  Long, SB;  Wang, W;  Wang, Q 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/05/25