QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Complex transport behavior accompanying domain switching in La0.1Bi0.9FeO3 sandwiched capacitors 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 101, 期号: 15 Gao, RL; Chen, YS; Sun, JR; Zhao, YG; Li, JB; Shen, BG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/09/17 BIFEO3 THIN-FILMS  FERROELECTRIC BIFEO3  EXCHANGE BIAS  POLARIZATION  MULTIFERROICS   Vanadium bound exciton luminescence in 6H-SiC 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 101, 期号: 15 Wang, SC; Wang, G; Liu, Y; Jiang, LB; Wang, WJ; Chen, XL 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/09/23 SILICON-CARBIDE  SINGLE SPINS  PHOTOLUMINESCENCE  DEFECT  4H  RADIATION  BAND  VACANCIES   Intrinsic spin Hall effect in monolayers of group-VI dichalcogenides: A first-principles study 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 2012, 卷号: 86, 期号: 16 Feng, WX; Yao, YG; Zhu, WG; Zhou, JJ; Yao, W; Xiao, D 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/09/18 ELECTRONIC-PROPERTIES  VALLEY POLARIZATION  WANNIER FUNCTIONS  MOS2   Pulse-induced alternation from bipolar resistive switching to unipolar resistive switching in the Ag/AgOx/Mg0.2Zn0.8O/Pt device 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2012, 卷号: 45, 期号: 42 Wei, LL; Wang, J; Chen, YS; Shang, DS; Sun, ZG; Shen, BG; Sun, JR 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/09/24 FILMS  MEMORY  STACK