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物理研究所 [7]
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期刊论文 [7]
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2012 [1]
2007 [1]
2006 [1]
2003 [1]
2001 [1]
1999 [1]
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Effect of Annealing on the Characteristics of Pd/Au Contacts to p-Type GaN/Al0.45Ga0.55N
期刊论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2012, 卷号: 41, 期号: 11, 页码: 3021
Bai, Y
;
Liu, J
;
Shen, HJ
;
Ma, P
;
Liu, XY
;
Guo, LW
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2013/09/17
OHMIC CONTACTS
ALGAN
GAN
ZnO ultraviolet photodiodes with Pd contact electrodes
期刊论文
ACTA MATERIALIA, 2007, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 329
Young, SJ
;
Ji, W
;
Fang, TH
;
Chang, SJ
;
Su, YK
;
Du, XL
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/09/23
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY
SCHOTTKY CONTACTS
GROWTH
GAN
FILMS
PHOTODETECTORS
BEHAVIOR
ZNSE
Characterization of ZnO metal-semiconductor-metal ultraviolet photodiodes with palladium contact electrodes
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2006, 卷号: 21, 期号: 10, 页码: 1507
Young, SJ
;
Ji, LW
;
Chuang, RW
;
Chang, SJ
;
Du, XL
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2013/09/17
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
THIN-FILMS
GROWTH
PHOTODETECTORS
GAN
DEPOSITION
SUBSTRATE
DIODES
Void formation and failure in InGaN/AlGaN double heterostructures
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 404
Wang, YG
;
Li, W
;
Han, PD
;
Zhang, Z
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2013/09/23
LIGHT-EMITTING-DIODES
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
THREADING EDGE DISLOCATION
VAPOR-PHASE EPITAXY
N-TYPE GAN
GALLIUM NITRIDE
GROWTH STOICHIOMETRY
SCATTERING
DEFECTS
LUMINESCENCE
Polarity dependence of hexagonal GaN films on two opposite c faces of Al2O3 substrate
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2001, 卷号: 78, 期号: 25, 页码: 3974
Han, PD
;
Wang, ZG
;
Duan, XF
;
Zhang, Z
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2013/09/24
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SURFACE POLARITY
SINGLE-CRYSTALS
BUFFER LAYER
GROWN GAN
DEPOSITION
MORPHOLOGY
QUALITY
ZNO
Cubic-phase GaN light-emitting diodes
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1999, 卷号: 74, 期号: 17, 页码: 2498
Yang, H
;
Zheng, LX
;
Li, JB
;
Wang, XJ
;
Xu, DP
;
Wang, YT
;
Hu, XW
;
Han, PD
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2013/09/17
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SEMICONDUCTORS
NITRIDE
GROWTH
Microstructure evolution of GaN buffer layer on MgAl2O4 substrate
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 478
Yang, HF
;
Han, PD
;
Cheng, LS
;
Zhang, Z
;
Duan, SK
;
Teng, XG
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2013/09/18
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
LASER-DIODES
GROWN GAN
FILMS
SAPPHIRE
NITRIDE
DEFECTS
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