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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of the channel electric field distribution on the polarization Coulomb field scattering in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 AIP ADVANCES, 2013, 卷号: 3, 期号: 9 Yu, YX; Lin, ZJ; Luan, CB; Lv, YJ; Feng, ZH; Yang, M; Wang, YT; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2014/01/16 Determination of the series resistance under the Schottky contacts of AlGaN/AlN/GaN Schottky barrier diodes 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2012, 卷号: 21, 期号: 1 Cao, ZF; Lin, ZJ; Lu, YJ; Luan, CB; Yu, YX; Chen, H; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/17 BREAKDOWN VOLTAGE  GAN