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科研机构
西安交通大学 [4]
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会议论文 [2]
期刊论文 [2]
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2019 [1]
2018 [2]
2014 [1]
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专题:西安交通大学
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Impact of TID on latch up induced by pulsed irradiation in CMOS circuits
期刊论文
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2019, 卷号: 440, 页码: 95-100
作者:
Li, Ruibin
;
He, Chaohui
;
Chen, Wei
;
Li, Junlin
;
Wang, Chenhui
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/11/19
Base recombination currents
Dose rate
Latch-ups
Oxide trapped charge
Pulsed irradiation
Shallow trench isolation
Surface recombinations
Total Ionizing Dose
An Effective Method to Compensate Total Ionizing Dose-Induced Degradation on Double-SOI Structure
会议论文
作者:
Huang, Yang
;
Li, Binhong
;
Zhao, Xing
;
Zheng, Zhongshan
;
Gao, Jiantou
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/11/26
Coupling effect
double SOI (DSOI)
negative back-gate bias
total ionizing dose (TID)
Co-60 gamma radiation total ionizing dose combined with conducted electromagnetic interference studies in BJTs
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 82, 页码: 159-164
作者:
Lawal, Olarewaju Mubashiru
;
Liu, Shuhuan
;
Li, Zhuoqi
;
Hussai, Aqil
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/11/26
Co-60 gamma
Current gain degradation
Bipolar transistor
EMI
Ideality factor
TID
Primary total ionizing dose effect studies on Xilinx SoC irradiated with Co-60 gamma rays
会议论文
作者:
Zhang, Yao
;
Du, Xin
;
Du, Xuecheng
;
He, Dongsheng
;
Zhang, Lingang
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/02
SoC
Experimental System
TID experiment
radiation effect
TID
chip
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