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科研机构
西安交通大学 [55]
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会议论文 [5]
发表日期
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2017 [8]
2016 [5]
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2012 [1]
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Experimental study of pulse neutron irradiation damage in SiGe HBT
期刊论文
Journal of Nuclear Science and Technology, 2018
作者:
Lawal, Olarewaju Mubashiru
;
Li, Zhuoqi
;
Liu, Shuhuan
;
Hussain, Aqil
;
Yang, JiangKun
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/11/19
annealing effects
excess base current
pulse neutron irradiation
radiation damage
radiation damage region
SiGe HBT
Total Ionizing Dose Effects of SiGe HBTs Induced by Co-60 Gamma-Ray Irradiation
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND ENGINEERING, 2018, 卷号: 191, 页码: 98-103
作者:
Liu, Shu-Huan
;
Hussain, Aqil
;
Li, Da
;
Guo, Xiaoqiang
;
Li, Zhuo-Qi
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/11/19
SiGe HBTs
Co-60 gamma radiation
radiation effects
Investigation of enhanced low dose rate sensitivity in SiGe HBTs by Co-60 gamma irradiation under different biases
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 84, 页码: 105-111
作者:
Zhang, Jin-xin
;
Guo, Qi
;
Guo, Hong-xia
;
Lu, Wu
;
He, Chao-hui
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/11/26
Gamma irradiation
ELDRS
SiGe HBT
Bias conditions
Numerical Simulation of Bias Effect on Dose Rate Effect of SiGe Heterojunction Bipolar Transistor
期刊论文
Yuanzineng Kexue Jishu/Atomic Energy Science and Technology, 2017, 卷号: 51, 页码: 549-554
作者:
Ma, Ting
;
Zhang, Jin-Xin
;
He, Chao-Hui
;
Tang, Du
;
Li, Pei
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/11/26
Bias effects
Different biases
Dose-rate effects
Reverse bias
SiGe heterojunction bipolar transistor
TCAD software
Three-dimensional numerical simulations
Transient current
Heavy Ion and Laser Microbeam Induced Current Transients in SiGe Heterojunction Bipolar Transistor
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2017, 卷号: 34
作者:
Li, Pei
;
He, Chao-Hui
;
Guo, Gang
;
Guo, Hong-Xia
;
Zhang, Feng-Qi
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/11/26
Three-dimensional simulation of fabrication process-dependent effects on single event effects of SiGe heterojunction bipolar transistor
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26
作者:
Zhang, Jin-Xin
;
He, Chao-Hui
;
Guo, Hong-Xia
;
Li, Pei
;
Guo, Bao-Long
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/11/26
SiGe HBT
3D simulation
single event effects
fabrication process dependence
不同偏置影响SiGe HBT剂量率效应数值模拟
期刊论文
原子能科学技术, 2017, 页码: 549-554
作者:
马婷
;
张晋新
;
贺朝会
;
唐杜
;
李培
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/11/26
数值模拟
SiGe HBT
不同偏置
&gamma
辐射
SiGe HBT中子-γ协同效应及剂量率效应研究
学位论文
2017
作者:
马婷
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/11/26
SiGe HBT
协同效应
剂量率效应
An investigation of ionizing radiation damage in different SiGe processes
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26
作者:
Li, Pei
;
Liu, Mo-Han
;
He, Chao-Hui
;
Guo, Hong-Xia
;
Zhang, Jin-Xin
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/11/26
numerical simulation
ionizing radiation damage
different silicon-germanium process
An Investigation of ELDRS in Different SiGe Processes
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2017, 卷号: 64, 页码: 1137-1141
作者:
Li, Pei
;
He, Chaohui
;
Guo, Hongxia
;
Guo, Qi
;
Zhang, Jinxin
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/11/26
emitter-base (EB)-spacer geometry
enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS)
isolation structure
Different silicon-germanium (SiGe) process
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