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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：西安交通大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of enhanced low dose rate sensitivity in SiGe HBTs by Co-60 gamma irradiation under different biases 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 84, 页码: 105-111 作者:  Zhang, Jin-xin;  Guo, Qi;  Guo, Hong-xia;  Lu, Wu;  He, Chao-hui 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/11/26 Gamma irradiation  ELDRS  SiGe HBT  Bias conditions   An Investigation of ELDRS in Different SiGe Processes 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2017, 卷号: 64, 页码: 1137-1141 作者:  Li, Pei;  He, Chaohui;  Guo, Hongxia;  Guo, Qi;  Zhang, Jinxin 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/26 emitter-base (EB)-spacer geometry  enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS)  isolation structure  Different silicon-germanium (SiGe) process