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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Direct measurement of the linear energy transfer of ions in silicon for space application 期刊论文 SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2016 Chen HongFei; Yu XiangQian; Shao SiPei; Shi WeiHong; Cui ZhanGuo; Xiang HongWen; Hao ZhiHua; Zou JiQing; Zhong WeiYing; Zou Hong 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2017/12/03 linear energy transfer measurement  LET  single event effect  space radiation  SINGLE   Total ionizing dose (TID) effect and single event effect (SEE) in quasi-SOI nMOSFETs 期刊论文 semiconductor science and technology, 2014 Tan, Fei; Huang, Ru; An, Xia; Wu, Weikang; Feng, Hui; Huang, Liangxi; Fan, Jiewen; Zhang, Xing; Wang, Yangyuan 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/11/13 quasi-SOI device  single event effect (SEE)  total ionizing dose (TID)  worst case  TECHNOLOGIES  TRANSISTOR  CANDIDATE  MOSFET  UPSET   Total ionizing dose and single-event effect in vertical channel double-gate nMOSFETs 期刊论文 semiconductor science and technology, 2013 Tan, Fei; An, Xia; Xue, Shoubin; Huang, Liangxi; Wu, Weikang; Zhang, Xing; Huang, Ru 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 DISPLACEMENT DAMAGE  SILICON  DEVICES  CELL