QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Impact of tungsten oxidation conditions on the performance of Al2O3/WOx-based CBRAM devices 期刊论文 MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2017 Chen, Z.; Belmonte, A.; Chen, C. Y.; Radhakrishnan, J.; Redolfi, A.; Kang, J.; Goux, L.; Kar, G. S. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03 CBRAM  CF  Al2O3/WOx  Endurance  MEMORIES   Atomic Monte-Carlo Simulation for CBRAM with Various Filament Geometries 其他 2016-01-01 Zhao, Y. D.; Huang, P.; Guo, Z. H.; Lun, Z. Y.; Gao, B.; Liu, X. Y.; Kang, J. F. 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03 RRAM  resistive switching  conductive filament  conductive bridge  Monte-Carlo  simulation  OXIDE  MEMORY   Impact of the Filament Morphology on the Retention Characteristics of Cu/Al2O3-based CBRAM devices 其他 2016-01-01 Ota, K.; Belmonte, A.; Chen, Z.; Redolfi, A.; Goux, L.; Kar, G. S. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/12/03 A Physics-Based Compact Model for Material- and Operation-Oriented Switching Behaviors of CBRAM 其他 2016-01-01 Zhao, Y. D.; Hu, J. J.; Huang, P.; Yuan, F.; Chai, Y.; Liu, X. Y.; Kang, J. F. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03 MEMORY  OXIDE