QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：厦门大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 不同In组分及阱宽的InGaAs/GaAs应变量子阱的表面光伏谱 期刊论文 2002 孔令民; 蔡加法; 李明; 吴正云; 沈文忠 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2011/04/26 表面光伏谱  应变量子阱  形变势模型  photovoltaic spectrum  strained quantum well  distortion model   Measurement and analysis of the characteristic parameters for the porous silicon/silicon using photovoltage spectra 期刊论文 2000 Wu, S. T.; Wang, Y. H.; Shen, Q. H.; 吴孙桃 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/12/12 SILICON  ELECTROLUMINESCENCE  DISSOLUTION   开管扩锌InP的液结光伏谱和少子扩散长度 期刊论文 1996 陈朝; 王健华 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2016/05/17 开管锌扩散  InP液结光伏谱  少子扩散长度  Open-Zn-diFFusion InP Liquid Junction Photovoltage Spectra Minority Carrier DiFFusion Lengths   n－Al_xGa_（1－x）As/n－GaAs的特性参数研究 期刊论文 1996 沈顗华; 朱文章; 许淑恋 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2016/05/17 中子辐照的单晶硅参数研究 期刊论文 1994 沈华; 朱文章; 吴孙桃; 谢敬仁; 陈仪明 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2016/07/01 中子辐照  单晶硅  深能级  表面光伏效应  少子扩散长度或寿命  Neutron-Irradiation  Single Crystal Silicon  Deep Level  SurFace Photovoltaic EFFect  Minority Carrier DiFFusion Length or LiFetime   INVESTIGATION OF ELECTRODFPOSITED CdSe THIN-FILM BY SURFACE PHOTOVOLTAGE SPECTROSCOPY 期刊论文 1987 Zhou,SM; Chen,ZY; Wang,ZQ; 周绍民 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2013/12/12