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科研机构
厦门大学 [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2014 [1]
2012 [1]
2008 [2]
2004 [2]
2002 [1]
1998 [1]
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专题:厦门大学
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Evolution of wurtzite ZnO films on cubic MgO (001) substrates: A structural, optical, and electronic investigation of the misfit structures
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1021/am503256p, 2014
Zhou, Hua
;
Wang, Hui-Qiong
;
Li, Yaping
;
Li, Kongyi
;
Kang, Junyong
;
Zheng, Jin-Cheng
;
Jiang, Zheng
;
Huang, Yuying
;
Wu, Lijun
;
Zhang, Lihua
;
Kisslinger, Kim
;
Zhu, Yimei
;
周华
;
王惠琼
;
康俊勇
;
郑金成
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2015/07/22
Bond length
Epitaxial growth
Magnesia
Metallic films
Molecular beam epitaxy
Substrates
Transmission electron microscopy
X ray absorption
X ray diffraction
Zinc oxide
Zinc sulfide
InGaN quantum wells and dots on initially shaped GaN islands: Growth and luminescence studies
期刊论文
2012
Xiong, H.
;
Wang, G. B.
;
Fang, Z. L.
;
方志来
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2013/03/01
InGaN
initial island shaping
luminescence
quantum dots
quantum wells
Silicon-induced strain relaxation and enhanced gallium surfactant effects on gallium nitride island shaping
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1021/jp7112522, 2008
Fang, Z. L.
;
Kang, J. Y.
;
Huang, W. J.
;
Sun, H. T.
;
Lu, M.
;
Kong, J. F.
;
Shen, W. Z.
;
康俊勇
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2013/12/12
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SELF-ORGANIZATION
GAN NANOWIRES
GROWTH
NANOSTRUCTURES
HETEROEPITAXY
TEMPERATURE
NANODEVICES
DEPENDENCE
EVOLUTION
Silicon-induced strain relaxation and enhanced gallium surfactant effects on gallium nitride island shaping
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1021/jp7112522, 2008
Fang, Z. L.
;
Kang, J. Y.
;
Huang, W. J.
;
Sun, H. T.
;
Lu, M.
;
Kong, J. F.
;
Shen, W. Z.
;
方志来
收藏
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浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2013/12/12
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SELF-ORGANIZATION
GAN NANOWIRES
GROWTH
NANOSTRUCTURES
HETEROEPITAXY
TEMPERATURE
NANODEVICES
DEPENDENCE
EVOLUTION
Electrochemical growth of three-dimensional nanostripe architecture of antimony on Cu(100)
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1021/jp0367326, 2004
Wu, J. H.
;
Yan, J. W.
;
Xie, Z. X.
;
Xue, Q. K.
;
Mao, B. W.
;
毛秉伟
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2013/12/12
SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY
SELF-ORGANIZED GROWTH
ELECTRODEPOSITION
METAL
EPITAXY
AU(111)
NANOSTRUCTURES
HETEROEPITAXY
RELAXATION
DEPOSITION
Electrochemical growth of three-dimensional nanostripe architecture of antimony on Cu(100)
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1021/jp0367326, 2004
Wu, JH
;
Yan, JW
;
Xie, ZX
;
Xue, QK
;
Mao, BW
;
谢兆雄
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2013/12/12
SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY
SELF-ORGANIZED GROWTH
ELECTRODEPOSITION
METAL
EPITAXY
AU(111)
NANOSTRUCTURES
HETEROEPITAXY
RELAXATION
DEPOSITION
GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究
期刊论文
2002
陈小红
;
陈松岩
;
张玉清
;
陈丽容
;
邓彩玲
;
林爱清
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2011/04/26
GaAs/InP异质材料
光致发光谱
Raman谱
金属-半导体场效应晶体管
GaAs/InP heteroepitaxy
photoluminescence
Raman
MESFET
用于光电集成的GaAs/InP MESFET研究
期刊论文
1998
陈松岩
;
刘宝林
;
陈龙海
;
王本忠
;
刘式墉
;
陈朝
;
黄美纯
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2011/06/20
低压MOVPE
GaAs-InP复合材料
金属半导体场效应晶体管
异质外延
LP-MOVPE
GaAs-InP
Composite Material
MESFET Heteroepitaxy
GaAs-InP heteroepitaxy and GaAs-InP MESFET fabrication by MOVPE
期刊论文
1997
Chen, S. Y.
;
Liu, B. L.
;
Wang, B. Z.
;
Huang, M. C.
;
Chen, L. H.
;
Chao, C.
;
陈松岩
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2013/12/12
SI
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