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发表日期
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红外探测材料与器件 [1]
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γ辐照导致中波碲镉汞光伏器件暗电流退化的机理研究
期刊论文
红外与激光工程, 2019, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 192-199
作者:
王志铭
;
周东
;
郭旗
;
李豫东
;
文林
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/11/18
碲镉汞(HgCdTe)光伏器件
红外探测器
辐射效应
γ射线
暗电流
γ辐照导致中波碲镉汞光伏器件暗电流退化的机理研究
期刊论文
红外与激光工程, 2019, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 192-199
作者:
王志铭
;
周东
;
郭旗
;
李豫东
;
文林
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2020/03/19
碲镉汞(HgCdTe)光伏器件
红外探测器
辐射效应
γ射线
暗电流
50mm×50mm高性能HgCdTe液相外延材料的批生产技术
期刊论文
红外与毫米波学报, 2017, 期号: 1, 页码: 49-53
作者:
孙权志
;
孙瑞赟
;
魏彦锋
;
孙士文
;
周昌鹤
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2018/11/20
碲镉汞
液相外延
大尺寸
高性能
替代衬底上的碲镉汞长波器件暗电流机理
期刊论文
红外与毫米波学报, 2017, 期号: 2, 页码: 186-190
作者:
赵真典
;
陈路
;
傅祥良
;
王伟强
;
沈川
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2018/11/20
碲镉汞
红外焦平面
长波
替代衬底
暗电流
飞秒激光脉冲数对P型HgCdTe激光打孔成结效果的影响
期刊论文
红外与毫米波学报, 2016, 卷号: 35, 页码: 52-56
作者:
Pan Chen-Bo[1]
;
Chen Xi-Ren[2]
;
Gong Min[3]
;
Dai Ye[4]
;
Shao Jun[5]
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/04/26
碲镉汞
PN结
激光束诱导电流
飞秒激光打孔
长波碲镉汞材料阳极氧化膜ZnS界面电学特性参数的研究
期刊论文
红外与毫米波学报, 2013, 卷号: 32, 期号: 2
王妮丽
;
刘诗嘉
;
兰添翼
;
赵水平
;
李向阳
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2014/11/05
碲镉汞
MIS
钝化
MOCVD外延碲镉汞薄膜的生长工艺选择
期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTG200004006&dbname=CJFQ2000, 2012, 2012
王跃
;
宋炳文
;
刘朝旺
;
王静宇
;
杨玉林
;
介万奇
;
周尧和
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2017/06/16
MOCVD
碲镉汞薄膜
衬底材料
生长工艺
“弱p型”和低迁移率n型碲镉汞体材料的迁移率谱研究
期刊论文
红外, 2011, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 1-5
作者:
张可锋
;
林杏潮
;
张莉萍
;
王仍
;
焦翠灵
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2011/07/06
霍尔测量
Hgcdte
磁输运
迁移率谱
HgCdTe的化学动力学分析
期刊论文
红外, 2006, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 34-40
作者:
王平
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2011/08/30
碲镉汞
化学结构
化学键
在Si和Ge衬底上用分子束外延生长HgCdTe
期刊论文
红外, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 29-24
作者:
傅祥良
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2011/11/14
分子束外延
Si衬底
Ge衬底
Cdte
Hgcdte
晶向
晶格失配
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