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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：西安光学精密机械研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Material research on the InGaAs-emitting-layer VECSEL grown on GaAs substrate 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2016, 卷号: 42, 页码: 283-287 作者:  Lin, Tao;  Sun, Ruijuan;  Sun, Hang;  Guo, Enmin;  Duan, Yupeng 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2016/01/11 VECSEL  MOVPE  InGaAs   InGaAs-MSM photodetector with low dark current 期刊论文 guangzi xuebao/acta photonica sinica, 2015, 卷号: 44, 期号: 6 作者:  Yan, Xin;  Wang, Tao;  Yin, Fei;  Ni, Hai-Qiao;  Niu, Zhi-Chuan 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/12/02 Research on the high indium content InGaAs multiple quantum wells wafers for lambda > 1.55 mu m laser diodes 期刊论文 journal of alloys and compounds, 2015, 卷号: 631, 页码: 283-287 作者:  Lin, Tao;  Sun, Hang;  Zhang, Haoqing;  Wang, Yonggang;  Lin, Nan 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/07/15 Laser diode  MOCVD  GaAs  InP   Study of GSMBE growth and characteristics of high-quality strained In0.63Ga0.37As/InP quantum wells 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1997, 卷号: 180, 期号: 1, 页码: 22-26 作者:  Wang, XL;  Sun, DZ;  Kong, MY;  Hou, X;  Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2018/06/13 Quantum Wells  Gsmbe  Ingaas/inp  Photoluminescence