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科研机构
上海技术物理研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2019 [1]
2017 [1]
2013 [1]
2005 [1]
2003 [1]
2002 [1]
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内容类型:期刊论文
专题:上海技术物理研究所
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InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面的ICP刻蚀研究
期刊论文
红外与毫米波学报, 2019, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 171-174
作者:
许佳佳
;
黄敏
;
徐庆庆
;
徐志成
;
王芳芳
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  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2019/11/13
电感耦合等离子
刻蚀
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格
焦平面
MBE生长碲镉汞的砷掺入与激活
期刊论文
红外与毫米波学报, 2017, 期号: 5, 页码: 575-580
作者:
赵真典
;
陈路
;
傅祥良
;
王伟强
;
沈川
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  |  
浏览/下载:32/0
  |  
提交时间:2018/11/20
红外焦平面
碲镉汞
砷掺杂
分子束外延
长波InAs/GaSb II类超晶格红外探测器
期刊论文
红外与毫米波学报, 2013, 卷号: 32, 期号: 3
周易
;
陈建新
;
徐庆庆
;
徐志成
;
靳川
;
许佳佳
;
金巨鹏
;
何力
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2014/11/11
InAs/GaSbⅡ类超晶格
长波12.5μm
暗电流
在Si和Ge衬底上用分子束外延生长HgCdTe
期刊论文
红外, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 29-24
作者:
傅祥良
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  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2011/11/14
分子束外延
Si衬底
Ge衬底
Cdte
Hgcdte
晶向
晶格失配
用X射线衍射评价硅基碲镉汞分子束外延材料及优化其生长条件研究综述
期刊论文
红外, 2003, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 9-13
作者:
王元樟
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2011/11/15
分子束外延生长3英寸HgCdTe晶片
期刊论文
红外与毫米波学报, 2002, 期号: 1
作者:
陈路
;
巫艳
;
于梅芳
;
吴俊
;
乔怡敏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2011/11/08
分子束外延HgCdTe材料生长参数的实时监测研究
期刊论文
红外与毫米波学报, 1998, 期号: 4
作者:
王善力
;
于梅芳
;
乔怡敏
;
杨建荣
;
巫艳
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2012/06/04
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