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科研机构
微电子研究所 [10]
内容类型
外文期刊 [10]
发表日期
2010 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2007 [1]
2006 [1]
2005 [2]
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内容类型:外文期刊
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65
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75
80
85
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发表日期升序
发表日期降序
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The photoluminescence of SiCN thin films prepared by C+ implantation into alpha-SiNx:H
外文期刊
2010
作者:
Dong, LJ
;
Zhang, GB
;
Xu, PS
;
Chen, DP
;
Chen, CO
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/26
Deposition
Xps
Finite-element study of strain field in strained-Si MOSFET
外文期刊
2009
作者:
Liu, HH
;
Xu, QX
;
Duan, XF
收藏
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浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2010/11/26
Beam Electron-diffraction
Hole Mobility Enhancement
Elastic Relaxation
Layer Superlattices
Effect Transistors
Cmos Performance
Silicon
Specimens
Pmosfets
A novel source/drain on void (SDOV) MOSFET implemented by local co-implantation of hydrogen and helium
外文期刊
2008
作者:
Wang, YY
;
Chan, MZ
;
Feng, CG
;
Chen, BQ
;
Tian, Y
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/11/26
Low-cost and highly manufacturable strained-Si channel technique for strong hole mobility enhancement on 35-nm gate length pMOSFETs
外文期刊
2007
作者:
Xu, QX
;
Duan, XF
;
Liu, HH
;
Han, ZS
;
Ye, TC
收藏
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浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2010/11/26
Hole mobility enhancement of pMOSFETs with strain channel induced by ge pre-amorphization implantation for source/drain extension
外文期刊
2006
作者:
Xu, QX
;
Duan, XF
;
Qian, H
;
Liu, HH
;
Li, HO
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/26
Effect of the technology of implanting nitrogen into buried oxide on the radiation hardness of the top gate oxide for partially depleted SOIPMOSFET
外文期刊
2005
作者:
Zheng, ZS
;
Liu, ZL
;
Zhang, GQ
;
Li, N
;
Fan, K
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/26
Improvement of the radiation hardness of SIMOX buried layers using nitrogen implantation
外文期刊
2005
作者:
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/26
Oxides
Effects of Si, Ge and Ar ion-implantation on EL from Au/Si-rich SiO2/p-Si structure
外文期刊
2001
作者:
Chen, Y
;
Ran, GZ
;
Sun, YK
;
Wang, YB
;
Fu, JS
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/26
Silicon-dioxide Films
Visible Electroluminescence
Optical-properties
Photoluminescence
Enhancement
Sio2-films
Glass
The investigation of key technologies for sub-0.1-mu m CMOS device fabrication
外文期刊
2001
作者:
Xu, QX
;
Qian, H
;
Yin, HX
;
Jia, L
;
Ji, HH
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/26
p+-polysilicon Gate
Ge Preamorphization
Thin-films
Oxides
Transformation
Suppression
Resistance
Extension
Salicide
Mosfet
New Ti-SALICIDE process using Sb and Ge preamorphization for sub-o.2 mu m CMOS technology
外文期刊
1998
作者:
Xu, QX
;
Hu, CM
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/26
Thin-films
Tisi2
Silicon
Transformation
Phase
Agglomeration
Resistance
Stability
Devices
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