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北京大学 [6]
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武汉大学 [1]
内容类型
其他 [8]
发表日期
2016 [1]
2009 [2]
2007 [1]
2004 [2]
2003 [1]
1999 [1]
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Design and Application of Resistive Switching Devices for Novel Computing/Memory Architectures
其他
2016-01-01
Jinfeng Kang
;
Peng Huang
;
Haitong Li
;
Bin Gao
;
Yudi Zhao
;
Runze Han
;
Zheng Zhou
;
Zhe Chen
;
Chen Liu
;
Lifeng Liu
;
Xiaoyan Liu
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2017/12/03
resistive
switching
Switching
RESET
candidate
readout
operations
interfacial
stored
scalability
resistive
switching
Switching
RESET
candidate
readout
operations
interfacial
stored
scalability
Synthesis, Characterization and Properties of C-60 Nanocrystals, Nanowires and Hierarchical Nanostructures
其他
2009-01-01
Liu, Jia
;
Fu, Yunyi
;
Guo, Ao
;
Wang, Chuan
;
Shi, Zujin
;
Gu, Zhennan
;
Huang, Ru
;
Zhang, Xing
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/16
C-60 Nanowires
C-60 Hierarchical Nanostructures
C-60 Nanoparticles
INTERFACIAL PRECIPITATION METHOD
CARBON NANOTUBE
SINGLE
NANOWHISKERS
GROWTH
FILMS
BUCKMINSTERFULLERENE
TRANSISTORS
TRANSPORT
CRYSTALS
Structure and Wear Properties of Nano-silicon dioxide modified Polyacrylate composites
其他
2009-01-01
Hu, Xiaolan
;
Li, Yanjie
;
Wang, Wenhao
;
Xie, Penghui
;
Dong, Yanming
;
胡晓兰
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/07/22
NANO-SIO2
Role of interface layers and localized states in TiAl-based ohmic contacts to p-type 4H-SiC
其他
2007-01-01
Gao, M.
;
Tsukimoto, S.
;
Goss, S. H.
;
Tumakha, S. P.
;
Onishi, T.
;
Murakami, M.
;
Brillson, L. J.
收藏
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浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/11/10
ohmic contact
p-type 4H-SiC
work function
Ti3SiC2
interface
localized states
ELECTRICAL-PROPERTIES
SILICON-CARBIDE
AL/TI CONTACTS
IMPLANTATION
MECHANISM
TI3SIC2
TDDB characteristics of ultra-thin HfN/HfO2 gate stack
其他
2004-01-01
Yang, H
;
Sa, N
;
Tang, L
;
Liu, XY
;
Kang, JF
;
Han, RQ
;
Yu, HY
;
Ren, C
;
Li, MF
;
Chan, DSH
;
Kwong, DL
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/13
TDDB characteristics of ultra-thin HfN/HfO2 gate stack
其他
2004-01-01
Yang, Hong
;
Sa, Ning
;
Tang, Liang
;
Liu, Xiaoyan
;
Kang, Jinfeng
;
Han, Ruqi
;
Yu, H.Y.
;
Ren, C.
;
Li, M.-F.
;
Chan, D.S.H.
;
Kwong, D.-L.
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/13
Electrical properties of Al2O3 gate dielectrics
其他
2003-01-01
Lin, CH
;
Kang, JF
;
Han, DD
;
Tian, DY
;
Wang, W
;
Zhang, JH
;
Liu, M
;
Liu, XY
;
Han, RQ
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/12
Al2O3 gate dielectric
electrical properties
carrier transport mechanism
interfacial traps
A mechanism for directional coarsening of gamma ' precipitates in nickel-base single crystal superalloys
其他
1999-01-01
作者:
Peng, ZF
;
Ren, YY
;
Fan, BZ
;
Mei, QS
;
Yan, P
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/05
nickel-base single crystal superalloy
gamma ' directional coarsening
coherent misfit
interfacial strain energy
anisotropy
diffusion
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