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科研机构
北京大学 [30]
厦门大学 [3]
内容类型
其他 [33]
发表日期
2016 [2]
2015 [2]
2014 [1]
2013 [2]
2012 [6]
2011 [5]
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75
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85
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发表日期升序
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提交时间降序
GIDL Challenge of GAA SNWT For Low Power Application
其他
2016-01-01
Ming Li
;
Jiewen Fan
;
Yuancheng Yang
;
Gong Chen
;
Ru Huang
收藏
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浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2017/12/03
drain
transistor
junction
overcome
suppressed
extremely
modulated
leakage
overlap
TCAD
drain
transistor
junction
overcome
suppressed
extremely
modulated
leakage
overlap
TCAD
Gate Engineering in SOI LDMOS for Device Reliability
其他
2016-01-01
Aanand
;
Sheu, Gene
;
Imam, Syed Sarwar
;
Lu, Shao Wei
;
Aryadeep, Chirag
;
Yang, Shao Ming
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2017/12/03
Influence of nitrogen buffering on oxygen in indium-tin-oxide capped resistive random access memory with NH3 treatment
其他
2015-01-01
Chen, Ji
;
Lou, Jen-Chung
;
Chang, Kuan-Chang
;
Chang, Ting-Chang
;
Tsai, Tsung-Ming
;
Pan, Chih-Hung
收藏
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浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2017/12/03
Influence of Nitrogen Buffering on Oxygen in Indium-Tin-Oxide Capped Resistive Random Access Memory with NH3 Treatment
其他
2015-01-01
Chen, Ji
;
Lou, Jen-Chung
;
Chang, Kuan-Chang
;
Chang, Ting-Chang
;
Tsai, Tsung-Ming
;
Pan, Chih-Hung
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2017/12/03
RRAM
nitrogen buffering effect
NH3 treatment
Characteristics of double-gate a-IGZO TFT
其他
2014-01-01
He, Xin
;
Xiao, Xiang
;
Deng, Wei
;
Wang, Longyan
;
Wang, Ling
;
Chi, Shipeng
;
Shao, Yang
;
Chan, Mansun
;
Zhang, Shengdong
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/13
Gate-Modulated Photoresponse in Graphene Field-Effect Transistors
其他
2013-01-01
Wei, Zijun
;
Wang, Zhigang
;
Zhao, Huabo
;
Ye, Tianyang
;
Ren, Liming
;
Guo, Jian
;
Jia, Yuehui
;
Zhang, Zhaohui
;
Fu, Yunyi
;
Huang, Ru
;
Zhang, Xing
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/13
LAYER GRAPHENE
DEVICES
Simulation and Analysis of High Breakdown Voltage AlGaN/GaN MOSHEMTs with TiO2/Al2O3 Gate Dielectric
其他
2013-01-01
Li, X.P.
;
Wang, J.Y.
;
Cai, J.B.
;
Liu, Y.
;
Yang, Zh.
;
Zhang, B.
;
Wang, M.J.
;
Yu, M.
;
Xie, B.
;
Wu, W.G.
;
Zhang, J.Ch
;
Ma, X.H.
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/13
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
A Variational Model for Two-Phase Immiscible Electroosmotic Flow at Solid Surfaces
其他
2012-01-01
Shao, Sihong
;
Qian, Tiezheng
收藏
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浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/11/13
Electroosmotic flow
moving contact line
slip boundary condition
MOVING CONTACT LINE
NERNST-PLANCK MODEL
MOLECULAR HYDRODYNAMICS
IRREVERSIBLE-PROCESSES
NANOFLUIDIC CHANNELS
RECIPROCAL RELATIONS
ENERGY-CONVERSION
MICROCHANNELS
INTERFACE
BOLTZMANN
Enhanced Nitrogen Plasma Immersion Passivation Method for High-K/Ge Stack Formation
其他
2012-01-01
Lin, Meng
;
Yun, Quanxin
;
Li, Min
;
Li, Zhiqiang
;
An, Xia
;
Li, Ming
;
Zhang, Xing
;
Huang, Ru
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/11/13
SURFACE PASSIVATION
GE
INTERFACE
GE(100)
DEVICES
LAYER
High-Gate-Injection Tunneling Field Effect Transistor for Flash Memory Applications
其他
2012-01-01
Wu, Huiwei
;
Qin, Shiqiang
;
Cai, Yimao
;
Huang, Qianqian
;
Huang, Ru
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/13
HOT-ELECTRON
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