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科研机构
北京大学 [14]
内容类型
其他 [14]
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2013 [1]
2009 [2]
2008 [2]
2005 [2]
2003 [6]
2000 [1]
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一种应用于电力电子开关的常关型AlGaN/GaN混合型MOSFET器件
其他
2013-01-01
林书勋
;
王茂俊
;
王野
;
张川
;
文正
;
王金延
;
郝一龙
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/11/12
AlGaN/GaN异质结 常关型 低损伤刻蚀 击穿电压
基于硅衬底氮化镓材料的MEMS微结构加工工艺
其他
2009-01-01
吕佳楠
;
杨振川
;
闫桂珍
;
陈敬
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2015/11/12
氮化镓 微结构 加工工艺 干法刻蚀 悬浮结构
软击穿后的MOS器件的微分电导谱及其应用
其他
2009-01-01
许铭真
;
谭长华
;
段小蓉
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/12
软击穿 微分电导 缺陷带 缺陷能级 超薄栅氧化层 金属氧化物半导体
热氧化Ti膜制备TiO_2-AlGaN/GaN结构的Ⅰ-Ⅴ特性
其他
2008-01-01
董志华
;
王金延
;
郝一龙
;
文正
;
王阳元
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/11/11
TiO_2
AlGaN/GaN
热氧化
泄漏电流
热氧化电子束蒸发Ti膜制备TiO2-AlGaN/GaN MIS结构的工艺及泄漏电流特性研究
其他
2008-01-01
董志华
;
王金延
;
郝一龙
;
文正
;
王阳元
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/11/12
二氧化钛薄膜 热氧化电子束蒸发 泄漏电流 退火工艺
超薄SiO2软击穿后I-V特性的饱和性质研究
其他
2005-01-01
许铭真
;
谭长华
;
段小蓉
;
何燕冬
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/11/11
超薄SiO2
软击穿
栅电流
饱和性质
I-V特性
电子速度饱和
比例差值方法
S波段20W新结构硅脉冲功率晶体管
其他
2005-01-01
金海岩
;
张利春
;
高玉芝
;
孟宪馨
;
宁宝俊
;
张广勤
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/11/11
功率晶体管
晶体管结构
隔离工艺
深槽Ni(Pt)Si/Si肖特基二极管特性研究
其他
2003-01-01
张慧
;
张利春
;
高玉芝
;
金海岩
;
宁宝俊
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/11/11
肖特基二极管
Ni(Pt)Si薄膜
深槽结构
反向击穿电压
采用槽终端技术的微波功率晶体管集电结反向击穿电压研究
其他
2003-01-01
叶红飞
;
蔡勇
;
张利春
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/11/11
槽终端技术
微波功率晶体管
反向击穿电压
高K栅介质的击穿特性研究
其他
2003-01-01
韩德栋
;
康晋锋
;
王成钢
;
杨红
;
王玮
;
韩汝琦
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/11/11
高K栅介质
击穿特性
MOS器件
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