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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 内容类型：其他    专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 First-principles Study on the Vibrational and Thermodynamic Properties of KAlSi_3O_8 Hollandite 其他 2014-01-01 Linlin Chang; Tao Sun; Xi Liu 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03 reservoir  vibrational  thermodynamic  correspondence  Helmholtz  phonon  compute  harmonic  conjunction  reservoir  vibrational  thermodynamic  correspondence  Helmholtz  phonon  compute  harmonic  conjunction   First-principles calculations of the structural stability of Fe 2P 其他 2010-01-01 Wu, Xiang; Qin, Shan 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 A generalized Peierls-Nabarro model for kinked dislocations 其他 2009-01-01 Wei, He; Xiang, Yang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/10 dislocations  dislocation dynamics  Peierls-Nabarro model  Peierls energy  dislocation kink  CURVED DISLOCATIONS  STACKING-FAULTS  SILICON  CORE  STRESS  ENERGY  CRYSTALS  MOBILITY  EDGE  NUCLEATION   Effects of Ionic Doping on the Behaviors of Oxygen Vacancies in HfO(2) and ZrO(2): A First Principles Study 其他 2009-01-01 Zhang, Haowei; Gao, Bin; Yu, Shimeng; Lai, Lin; Zeng, Lang; Sun, Bing; Liu, Lifeng; Liu, Xiaoyan; Lu, Jing; Han, Ruqi; Kang, Jinfeng 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/11/13 Hafnium Oxide  Zirconium Oxide  First Principles Calculation  Ionic Doping Effect  Oxygen Vacancy   The effects of incorporating nitrogen into silicon dioxide on gate leakage current in MOSFETs 其他 2007-01-01 Mao, L.F.; Wang, Z.O.; Wang, J.Y. 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/11/12