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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose 会议论文 Geneva, SWITZERLAND, OCT 02-06, 2017 作者:  Zheng, Qiwen;  Cui, Jiangwei;  Lu, Wu;  Guo, Hongxia;  Liu, Jie 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2018/10/08 Charge sharing  single-event upset (SEU)  static random access memory  total ionizing dose (TID)   Advanced Extensible Crossbar Protocol for Connecting Multi-Cores and Shared-Memory on Chip 会议论文 Beijing,China, 2018,6.15-17 作者:  Hongyu,Meng;  Donglin,Wang;  Zijun,Liu;  Yang,Guo 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/06 Interconnect  Crossbar  Multi-cores  Shared-memory   Low energy proton induced single event upset in 65 nm DDR and QDR commercial SRAMs 会议论文 作者:  Ye, B.;  Liu, J.;  Wang, T. S.;  Liu, T. Q.;  Maaz, K. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/08/20 SRAM  Low energy proton  Single event upset  Direct ionization   A Fault Masking Dual Module Redundancy Method for FPGA 会议论文 Vancouver, Canada, 2016-5-15 作者:  Zheng, Meisong;  Wang, Zilong;  Wang, Zilong;  Li, Lijian 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2016/06/27 Fpga  Fault Tolerance  Dual Modular Redundancy   Monte-Carlo prediction of single-event characteristics of 65 nm CMOS SRAM under hundreds of MeV/n heavy-ions in space 会议论文 作者:  Zhang, Zhangang;  Lei, Zhifeng;  En, Yunfei;  Liu, Jie;  IEEE 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/03/27 single event upset  static random access memory  Monte-Carlo  secondary electron  nuclear reaction   Supply Voltage Dependence of Single Event Upset Sensitivity in Diverse SRAM Devices 会议论文 作者:  Su, Hong;  Zhang, Zhangang;  Lei, Zhifeng;  En, Yunfei;  Huang, Yun 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2018/08/20 single event upset  supply voltage  static random access memeory  critical charge   Supply Voltage Dependence of Single Event Upset Sensitivity in Diverse SRAM Devices 会议论文 作者:  Liu, Tianqi;  Ji, CY;  En, YF;  Huang, Yun;  En, Yunfei 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/08/20 single event upset  supply voltage  static random access memeory  critical charge   memristors for neural branch prediction: a case study in strict latency and write endurance challenges 会议论文 2013 ACM International Conference on Computing Frontiers, CF 2013, Ischia, Italy, May 14, 2013 - May 16, 2013 Saadeldeen Hebatallah; Franklin Diana; Long Guoping; Hill Charlotte; Browne Aisha; Strukov Dmitri; Sherwood Timothy; Chong Frederic T. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/09/22 Analog computers  Hybrid systems  Memristors  Neural networks  Passive filters  Reliability  Static random access storage