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科研机构
半导体研究所 [3]
兰州大学 [1]
内容类型
会议论文 [4]
发表日期
2007 [1]
2000 [1]
1999 [1]
1997 [1]
学科主题
半导体物理 [3]
crystallog... [1]
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Influence of interface interruption on spin relaxation in GaAs (110) quantum wells
会议论文
14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE XIV), Tokyo, JAPAN, SEP 03-08, 2006
作者:
Liu, LS
;
Wang, WX
;
Li, ZH
;
Liu, BL
;
Zhao, HM
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/07/31
X-ray diffraction
molecular-beam epitaxy
quantum wells
Methods to tune the electronic states of self-organized InAs/GaAs quantum dots
会议论文
5th international conference on the electrical transport and optical properties of inhomogeneous media (etopim5), hong kong, hong kong, jun 21-25, 1999
作者:
Wang H
;
Jiang DS
;
Wang H
;
Niu ZC
收藏
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浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2010/11/15
quantum dot
growth interruption
quantum dot laser
New way to enhance the uniformity of self-organized InAs quantum dots
会议论文
25th international symposium on compound semiconductors, nara, japan, oct 12-16, 1998
Zhu HJ
;
Wang H
;
Wang ZM
;
Cui LQ
;
Feng SL
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2010/11/15
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
THRESHOLD
GROWTH
LASER
Material transport in self-assembled InAs/GaAs quantum dot ensemble
会议论文
10th international conference on superlattices, microstructures and microdevices, lincoln, nebraska, jul 08-11, 1997
作者:
Han PD
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/15
GROWTH
TRANSITION
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