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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 1.3 mu m high indium content (42.5%) GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy 会议论文 32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005 Niu, ZC; Zhang, SY; Ni, HQ; Wu, DH; He, ZH; Sun, Z; Han, Q; Wu, RG 收藏  |  浏览/下载：224/60  |  提交时间：2010/03/29 IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY  TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE  NITROGEN  ORIGIN  DIODES   The difference of Si doping efficiency in GaN and AlGaN in GaN-based HBT structure 会议论文 32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005 Ran, JX; Wang, XL; Hu, GX; Li, JP; Wang, JX; Wang, CM; Zeng, YP; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：167/71  |  提交时间：2010/03/29 ALN  IMPURITIES  DONOR   Gas source molecular beam epitaxy and thermal stability of Si1-xGex/Si superlattice materials 会议论文 14th latin american symposiumm on solid state physics, oaxaca, mexico, jan 11-16, 1998 Zou LF; Acosta-Ortiz SE; Zou LX; Regalado LE; Sun DZ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/15 STRAIN RELAXATION  HETEROSTRUCTURES