×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
会议论文 [3]
发表日期
2006 [1]
2000 [1]
1997 [1]
学科主题
半导体物理 [2]
光电子学 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
帮助
限定条件
内容类型:会议论文
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Surface morphology evolution of strained InAs/GaAs(331)a films
会议论文
2nd asian conference on nanoscience and nanotechnology, beijing, peoples r china, nov 24-27, 2004
Gong, M (Gong, Meng)
;
Fang, ZD (Fang, Zhidan)
;
Miao, ZH (Miao, Zhenhua)
;
Niu, ZC (Niu, Zhichuan)
收藏
  |  
浏览/下载:118/36
  |  
提交时间:2010/03/29
surface morphology evolution
InAs nanostructures
island-pit pairs
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
QUANTUM DOTS
COOPERATIVE NUCLEATION
HETEROEPITAXY
TRANSITION
ISLANDS
GROWTH
A model of dislocations at the interface of the bonded wafers
会议论文
conference on optical interconnects for telecommunication and data communications, beijing, peoples r china, nov 08-10, 2000
作者:
Han WH
;
Wang LC
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2010/10/29
wafer bonding
heteroepitaxy
lattice mismatch
edge-like dislocations
thermal stress
60 degrees dislocation lines
GAAS
Heteroepitaxy of cubic GaN: influence of interface structure
会议论文
royal-microscopical-society conference on microscopy of semiconducting materials, oxford, england, apr 07-10, 1997
Trampert A
;
Brandt O
;
Yang H
;
Yang B
;
Ploog KH
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2010/11/15
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAN/GAAS(001)
GROWTH
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace