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| Buffer Layer for GaN-on-Si LED 专利
专利号: US20130056745A1, 申请日期: 2013-03-07, 公开日期: 2013-03-07
作者: CHEN, ZHEN
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| Room temperature 3-5 micrometer wavelength HgCdTe heterojunction emitter 专利
专利号: US5998809, 申请日期: 1999-12-07, 公开日期: 1999-12-07
作者: CHEN, MEN-CHEE; BEVAN, MALCOLM J.
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| Method of growing compound semiconductor layer 专利
专利号: GB2296816A, 申请日期: 1996-07-10, 公开日期: 1996-07-10
作者: HIROTAKA, KIZUKI; YASUTOMO, KAJIKAWA
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| Inverted integrated heterostructure of group II-VI semiconductor materials including epitaxial ohmic contact and method of fabricating same 专利
专利号: US5351255, 申请日期: 1994-09-27, 公开日期: 1994-09-27
作者: SCHETZINA, JAN F.
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| Superlattice structure semiconductor device 专利
专利号: JP1991020096A, 申请日期: 1991-01-29, 公开日期: 1991-01-29
作者: MITSUYU TSUNEO; OKAWA KAZUHIRO; KARASAWA TAKESHI
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| Superlattice structure semiconductor device 专利
专利号: JP1990096384A, 申请日期: 1990-04-09, 公开日期: 1990-04-09
作者: MITSUYU TSUNEO; OKAWA KAZUHIRO; KARASAWA TAKESHI
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| Lead-alloy-telluride heterojunction semiconductor laser 专利
专利号: US4612644, 申请日期: 1986-09-16, 公开日期: 1986-09-16
作者: PARTIN, DALE L.
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| Lead-europium selenide-telluride heterojunction semiconductor laser 专利
专利号: US4608694, 申请日期: 1986-08-26, 公开日期: 1986-08-26
作者: PARTIN, DALE L.
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| Lead-ytterbium-tin telluride heterojunction semiconductor laser 专利
专利号: US4577322, 申请日期: 1986-03-18, 公开日期: 1986-03-18
作者: PARTIN, DALE L.
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| Semiconductor luminescent device 专利
专利号: JP1985052075A, 申请日期: 1985-03-23, 公开日期: 1985-03-23
作者: FUKUDA HIROKAZU; SHINOHARA KOUJI; NISHIJIMA YOSHITO; YAMAMOTO KOUSAKU
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